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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P03GHD2G
  仓库库存编号：TS20P03GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P04GHC2G
  仓库库存编号：TS20P04GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P04GHD2G
  仓库库存编号：TS20P04GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P05GHC2G
  仓库库存编号：TS20P05GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P05GHD2G
  仓库库存编号：TS20P05GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P06GHC2G
  仓库库存编号：TS20P06GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P06GHD2G
  仓库库存编号：TS20P06GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P07GHC2G
  仓库库存编号：TS20P07GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P07GHD2G
  仓库库存编号：TS20P07GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N50P
  仓库库存编号：IXTP5N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBC20GPBF-ND
  别名：*IRFIBC20GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 17A 70W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP3N60A4D
  仓库库存编号：HGTP3N60A4D-ND
  别名：HGTP3N60A4D_NL
  HGTP3N60A4D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214
  仓库库存编号：IRFD214-ND
  别名：*IRFD214
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010
  仓库库存编号：IRFD9010-ND
  别名：*IRFD9010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU014
  仓库库存编号：IRLU014-ND
  别名：*IRLU014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE822DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE822DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE822DF-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7194DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7194DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7194DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7455DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7455DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7455DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7455DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7846DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7846DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 20A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2008-E3/45
  仓库库存编号：BU2008-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF730ASTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P01G C2G
  仓库库存编号：TS20P01G C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 20A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS20P01G D2G
  仓库库存编号：TS20P01G D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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