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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS15P07GHC2G
  仓库库存编号：TS15P07GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS15P07GHD2G
  仓库库存编号：TS15P07GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20N40L
  仓库库存编号：785-1432-5-ND
  别名：785-1432-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4456DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4456DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF15S65
  仓库库存编号：785-1529-5-ND
  别名：AOWF15S65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 15A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 15A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1520N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB1520N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 15A 400V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1540N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB1540N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 15A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1560N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB1560N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 15A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1580N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB1580N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 20A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 20A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2020N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB2020N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 20A 400V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 20A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2040N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB2040N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 20A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2060N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB2060N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 20A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 20A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2080N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB2080N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634STRRPBF
  仓库库存编号：IRF634STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N60P
  仓库库存编号：IXTP3N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 15A 600V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU15065S-M3/45
  仓库库存编号：BU15065S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 15A 800V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU15085S-M3/45
  仓库库存编号：BU15085S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 15A 1000V BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU15105S-M3/45
  仓库库存编号：BU15105S-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B14NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G-P013
  仓库库存编号：VP0550N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N80P
  仓库库存编号：IXTA4N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60_F152
  仓库库存编号：FCPF190N60_F152-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7788DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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