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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Ta），100A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6590
  仓库库存编号：AON6590-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 7.7A (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7946ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7946ADP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），8A（Tc） 8.3W（Ta），156W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：AOV11S60
  仓库库存编号：785-1683-1-ND
  别名：785-1683-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11S65L
  仓库库存编号：785-1510-5-ND
  别名：AOT11S65L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11C60P
  仓库库存编号：AOTF11C60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11C60PL
  仓库库存编号：785-1715-5-ND
  别名：785-1715-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 25A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2520-E3/45
  仓库库存编号：GSIB2520-E3/45-ND
  别名：GSIB2520E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2435N8-G
  仓库库存编号：TP2435N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU12105S-E3/45
  仓库库存编号：BU12105S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG7N65SCT
  仓库库存编号：DMG7N65SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7170DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7170DP-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7170DP-T1-GE3TR
  SI7170DPT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7104DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7104DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8401DB-T1-E3
  仓库库存编号：SI8401DB-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 500V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS11N50A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS11N50A-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 54A（Tc） 30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC013P030Z
  仓库库存编号：FDMC013P030Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS9N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS9N60A-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TC6215TG-G
  仓库库存编号：TC6215TG-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI11S60
  仓库库存编号：AOI11S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMN95H8D5HCT
  仓库库存编号：DMN95H8D5HCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2540N3-G-P002
  仓库库存编号：TP2540N3-G-P002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18512Q5BT
  仓库库存编号：CSD18512Q5BT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7384DP-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.2A（Tc） 106W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP380N60
  仓库库存编号：FCP380N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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