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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS6P06GHC2G
  仓库库存编号：TS6P06GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS6P06GHD2G
  仓库库存编号：TS6P06GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole TS-6P
  
  型号：TS6P07GHC2G
  仓库库存编号：TS6P07GHC2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole TS-6P
  
  型号：TS6P07GHD2G
  仓库库存编号：TS6P07GHD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4866DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4866DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 28W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG7N65SCTI
  仓库库存编号：DMG7N65SCTI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12N60C
  仓库库存编号：FQP12N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
  
  型号：TS10P05G C2G
  仓库库存编号：TS10P05G C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 85A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6260
  仓库库存编号：AON6260-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VN3205N8-G
  仓库库存编号：VN3205N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9610GPBF
  仓库库存编号：IRFI9610GPBF-ND
  别名：*IRFI9610GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PCH 500V 2A MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 2.15A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5P20RDTU
  仓库库存编号：FQPF5P20RDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRLPBF
  仓库库存编号：IRF610STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF610STRRPBF
  仓库库存编号：IRF610STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF614STRRPBF
  仓库库存编号：IRF614STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1206-M3/51
  仓库库存编号：BU1206-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1208-M3/51
  仓库库存编号：BU1208-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1210-M3/51
  仓库库存编号：BU1210-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2R4N50P
  仓库库存编号：IXTY2R4N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY3N50P
  仓库库存编号：IXTY3N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N60P
  仓库库存编号：IXTP1R4N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N60P
  仓库库存编号：IXTY2N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N80P
  仓库库存编号：IXTP2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY2N80P
  仓库库存编号：IXTY2N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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