以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU801-G
  仓库库存编号：GBU801-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU802-G
  仓库库存编号：GBU802-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU804-G
  仓库库存编号：GBU804-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU806-G
  仓库库存编号：GBU806-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDD60N550U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N550U1-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 18W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R3K3P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R3K3P7AKMA1-ND
  别名：SP001636448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 6A 50V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6005-G
  仓库库存编号：GBU6005-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU601-G
  仓库库存编号：GBU601-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 6A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU602-G
  仓库库存编号：GBU602-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 6A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU604-G
  仓库库存编号：GBU604-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU606-G
  仓库库存编号：GBU606-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1004 D2G
  仓库库存编号：GBU1004 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU1005 D2G
  仓库库存编号：GBU1005 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7872DP-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7872DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6413DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6413DQ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60
  仓库库存编号：FCPF11N60-ND
  别名：FCPF11N60_NL
  FCPF11N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16570Q5B
  仓库库存编号：CSD16570Q5B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 6A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6K-E3/45
  仓库库存编号：GBU6K-E3/45GI-ND
  别名：GBU6K
  GBU6K-E3/45-ND
  GBU6K-ND
  GBU6K/45
  GBU6K/45-ND
  GBU6KE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 100V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B-E3/45
  仓库库存编号：GBU6B-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 150V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 150V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6C-E3/45
  仓库库存编号：GBU6C-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 400V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6G-E3/45
  仓库库存编号：GBU6G-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU6M-E3/45
  仓库库存编号：GBU6M-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G-P002
  仓库库存编号：TN0620N3-G-P002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索