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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU7N60E-E3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644612
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644624
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C
  仓库库存编号：FQP6N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL100HD3G
  仓库库存编号：TS10KL100HD3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL60HD3G
  仓库库存编号：TS10KL60HD3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL80HD3G
  仓库库存编号：TS10KL80HD3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.6A（Ta） 3.2W（Ta），70W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD2670
  仓库库存编号：FDD2670CT-ND
  别名：FDD2670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4124DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4124DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4874BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4874BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4943BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4943BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7840BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7840BDP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7905DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7905DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT SINGLE PHASE BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M-E3/45
  仓库库存编号：GBU8M-E3/45GI-ND
  别名：GBU8M
  GBU8M-E3/45-ND
  GBU8M-E3/45GI
  GBU8M-ND
  GBU8M/45
  GBU8M/45-ND
  GBU8ME345
  Q1152372
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 15A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1506-E3/51
  仓库库存编号：BU1506-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 15A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1510-E3/51
  仓库库存编号：BU1510-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 24A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6292
  仓库库存编号：AON6292-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF720LPBF
  仓库库存编号：IRF720LPBF-ND
  别名：*IRF720LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 54W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU5N60TU
  仓库库存编号：FCU5N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 6A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A20N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB6A20N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 6A 400V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A40N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB6A40N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A60N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB6A60N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A80N-M3/45
  仓库库存编号：GSIB6A80N-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 56A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N15NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC160N15NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC160N15NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2520N8-G
  仓库库存编号：TP2520N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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