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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 480mA（Tj） 1.6W（Tc） SOT-89-3
  
  型号：TN2425N8-G
  仓库库存编号：TN2425N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 630mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2502N8-G
  仓库库存编号：TP2502N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0606L-G-P003
  仓库库存编号：VN0606L-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P003
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P014
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P014-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4936ADY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU10065S-E3/45
  仓库库存编号：BU10065S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU10085S-E3/45
  仓库库存编号：BU10085S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820ALPBF
  仓库库存编号：IRF820ALPBF-ND
  别名：*IRF820ALPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB620-E3/45
  仓库库存编号：GSIB620-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 400V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB640-E3/45
  仓库库存编号：GSIB640-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB660-E3/45
  仓库库存编号：GSIB660-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB680-E3/45
  仓库库存编号：GSIB680-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF9N90
  仓库库存编号：AOTF9N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 48A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR871DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR871DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta） 3.6W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4302
  仓库库存编号：785-1545-1-ND
  别名：785-1545-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR688DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR688DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU801HD2G
  仓库库存编号：GBU801HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU802HD2G
  仓库库存编号：GBU802HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU803HD2G
  仓库库存编号：GBU803HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU804HD2G
  仓库库存编号：GBU804HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU805HD2G
  仓库库存编号：GBU805HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU806HD2G
  仓库库存编号：GBU806HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU807HD2G
  仓库库存编号：GBU807HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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