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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL100 D3G
  仓库库存编号：TS10KL100 D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 10A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJL
  
  型号：TS10KL60 D3G
  仓库库存编号：TS10KL60 D3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 400V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A40-E3/45
  仓库库存编号：GSIB6A40-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A60-E3/45
  仓库库存编号：GSIB6A60-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB6A80-E3/45
  仓库库存编号：GSIB6A80-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N60FDL
  仓库库存编号：785-1617-1-ND
  别名：785-1617-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 23A 73W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 23A 73W Through Hole TO-220F
  
  型号：SGS23N60UFDTU
  仓库库存编号：SGS23N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9020TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9020TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.2A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF380N60
  仓库库存编号：FCPF380N60FS-ND
  别名：FCPF380N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF624PBF
  仓库库存编号：IRF624PBF-ND
  别名：*IRF624PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU408-G
  仓库库存编号：GBU408-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU410-G
  仓库库存编号：GBU410-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NJVMJB44H11T4G
  仓库库存编号：NJVMJB44H11T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
  
  型号：NJVMJB45H11T4G
  仓库库存编号：NJVMJB45H11T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9024TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9024TRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9024TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9024TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006A-M3/51
  仓库库存编号：BU1006A-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1008A-M3/51
  仓库库存编号：BU1008A-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010A-M3/51
  仓库库存编号：BU1010A-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU430APBF
  仓库库存编号：IRFU430APBF-ND
  别名：*IRFU430APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8026S
  仓库库存编号：FDMS8026SCT-ND
  别名：FDMS8026SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4425BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4425BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010-E3/45
  仓库库存编号：BU1010-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF820LPBF
  仓库库存编号：IRF820LPBF-ND
  别名：*IRF820LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ458DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ458DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ458DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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