以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB7S60L
  仓库库存编号：785-1263-1-ND
  别名：785-1263-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1008A-E3/45
  仓库库存编号：BU1008A-E3/45GI-ND
  别名：BU1008A-E3/45-ND
  BU1008AE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010A-E3/45
  仓库库存编号：BU1010A-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT5N100
  仓库库存编号：AOT5N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD
  仓库库存编号：AOTF10N50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU1006A5S-E3/45
  仓库库存编号：BU1006A5S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU1008A5S-E3/45
  仓库库存编号：BU1008A5S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU1010A5S-E3/45
  仓库库存编号：BU1010A5S-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBJ
  
  型号：GBL08-G
  仓库库存编号：GBL08-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR846ADP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR846ADP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 45A（Tc） 73.5W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP45P03-09-GE3
  仓库库存编号：SUP45P03-09-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18V 400mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2501N8-G
  仓库库存编号：TN2501N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0300L-G-P002
  仓库库存编号：VN0300L-G-P002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 50V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4005-G
  仓库库存编号：GBU4005-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU401-G
  仓库库存编号：GBU401-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU402-G
  仓库库存编号：GBU402-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU404-G
  仓库库存编号：GBU404-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 4A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU406-G
  仓库库存编号：GBU406-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG7N65SJ3
  仓库库存编号：DMG7N65SJ3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N90
  仓库库存编号：FQPF5N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9020PBF
  仓库库存编号：IRFU9020PBF-ND
  别名：*IRFU9020PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4808DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4808DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4808DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4808DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4368DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4368DY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4368DY-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30ALPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ALPBF-ND
  别名：*IRFBC30ALPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索