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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU802 D2G
  仓库库存编号：GBU802 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU803 D2G
  仓库库存编号：GBU803 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU804 D2G
  仓库库存编号：GBU804 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE 20A 50V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ20005-G
  仓库库存编号：GBJ20005-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE 20A 400V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2004-G
  仓库库存编号：GBJ2004-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 15A 200V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1520-E3/45
  仓库库存编号：GSIB1520-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） I-Pak
  
  型号：SIHU7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHU7N60E-GE3-ND
  别名：SIHU7N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4931NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4931NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 104W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW296
  仓库库存编号：AOW296-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB10N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHB10N40D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R750P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R750P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R750P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  LOW POWER_NEW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R280P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R280P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R280P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 250mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VN2450N8-G
  仓库库存编号：VN2450N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 84A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6560
  仓库库存编号：AON6560-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE 20A 1000V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2010-G
  仓库库存编号：GBJ2010-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10.7A（Ta），22A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86320
  仓库库存编号：FDMC86320FSCT-ND
  别名：FDMC86320FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF610LPBF
  仓库库存编号：IRF610LPBF-ND
  别名：*IRF610LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW7S60
  仓库库存编号：AOW7S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 10A 83W TO220
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 10A 83W Through Hole TO-220-3
  
  型号：FGP5N60LS
  仓库库存编号：FGP5N60LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 200V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA20-M3/45
  仓库库存编号：G5SBA20-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA60-M3/45
  仓库库存编号：G5SBA60-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 800V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA80-M3/45
  仓库库存编号：G5SBA80-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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