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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG3N60SCT
  仓库库存编号：DMG3N60SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole KBU
  
  型号：KBU1001
  仓库库存编号：KBU1001GN-ND
  别名：KBU1001GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBU
  
  型号：KBU1002
  仓库库存编号：KBU1002GN-ND
  别名：KBU1002GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole KBU
  
  型号：KBU1004
  仓库库存编号：KBU1004GN-ND
  别名：KBU1004GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBU
  
  型号：KBU1006
  仓库库存编号：KBU1006GN-ND
  别名：KBU1006GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBU
  
  型号：KBU1008
  仓库库存编号：KBU1008GN-ND
  别名：KBU1008GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBU
  
  型号：KBU1010
  仓库库存编号：KBU1010GN-ND
  别名：KBU1010GN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 120MHz 2.1W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：ZXT951KQTC
  仓库库存编号：ZXT951KQTC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7758DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7758DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7758DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 50V INLINE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6A-M3/51
  仓库库存编号：GBU6A-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 8A 50V INLINE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8A-M3/51
  仓库库存编号：GBU8A-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B-M3/51
  仓库库存编号：GBU6B-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6D-M3/51
  仓库库存编号：GBU6D-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6G-M3/51
  仓库库存编号：GBU6G-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6J-M3/51
  仓库库存编号：GBU6J-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6K-M3/51
  仓库库存编号：GBU6K-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 6A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU6M-M3/51
  仓库库存编号：GBU6M-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 100V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8B-M3/51
  仓库库存编号：GBU8B-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D-M3/51
  仓库库存编号：GBU8D-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8G-M3/51
  仓库库存编号：GBU8G-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8J-M3/51
  仓库库存编号：GBU8J-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU605HD2G
  仓库库存编号：GBU605HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU606HD2G
  仓库库存编号：GBU606HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU607HD2G
  仓库库存编号：GBU607HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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