产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP8N60C
仓库库存编号:
FQP8N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.1A(Tc) 23W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI614GPBF
仓库库存编号:
IRFI614GPBF-ND
别名:*IRFI614GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 100V GPP INLINE GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
型号:
GBU8B-E3/51
仓库库存编号:
GBU8B-E3/51-ND
别名:GBU8BE351
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF5N100
仓库库存编号:
AOTF5N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBPM
型号:
3N252-E4/51
仓库库存编号:
3N252-E4/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7742DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7742DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7742DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 4A 50V
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
型号:
GBU4A-M3/45
仓库库存编号:
GBU4A-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 4A 50V
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
型号:
GBU4A-M3/51
仓库库存编号:
GBU4A-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 100V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
型号:
GBU4B-M3/51
仓库库存编号:
GBU4B-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 200V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
型号:
GBU4D-M3/51
仓库库存编号:
GBU4D-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 400V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
型号:
GBU4G-M3/51
仓库库存编号:
GBU4G-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
型号:
GBU4J-M3/51
仓库库存编号:
GBU4J-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
型号:
GBU4K-M3/51
仓库库存编号:
GBU4K-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 1000V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
型号:
GBU4M-M3/51
仓库库存编号:
GBU4M-M3/51-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 100V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
型号:
GBU4B-M3/45
仓库库存编号:
GBU4B-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 200V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
型号:
GBU4D-M3/45
仓库库存编号:
GBU4D-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 400V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
型号:
GBU4G-M3/45
仓库库存编号:
GBU4G-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
型号:
GBU4J-M3/45
仓库库存编号:
GBU4J-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
型号:
GBU4K-M3/45
仓库库存编号:
GBU4K-M3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 4A 1000V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
型号:
GBU4M-M3/45
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GBU4M-M3/45-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9210PBF
仓库库存编号:
IRFU9210PBF-ND
别名:*IRFU9210PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 4.8W(Ta),56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7748DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7748DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7748DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR024TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR024TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
型号:
GBU601HD2G
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GBU601HD2G-ND
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