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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10K
  仓库库存编号：GBU10KGN-ND
  别名：GBU10KGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU10M
  仓库库存编号：GBU10MGN-ND
  别名：GBU10MGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ406G
  仓库库存编号：KBJ406GGN-ND
  别名：KBJ406GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ408G
  仓库库存编号：KBJ408GGN-ND
  别名：KBJ408GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ410G
  仓库库存编号：KBJ410GGN-ND
  别名：KBJ410GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9214PBF
  仓库库存编号：IRFU9214PBF-ND
  别名：*IRFU9214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW12N65
  仓库库存编号：AOW12N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Ta） 2.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6004SPS-13
  仓库库存编号：DMT6004SPS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.8A（Ta） 10.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：ZXMN6A09KQTC
  仓库库存编号：ZXMN6A09KQTC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6522
  仓库库存编号：785-1497-1-ND
  别名：785-1497-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R900P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N550U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N550U1T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  25V SYMMETRIC DUAL N-CHANNEL MOS
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 74A 26W Surface Mount 12-PQFN (3.3x3.3)
  
  型号：FDPC3D5N025X9D
  仓库库存编号：FDPC3D5N025X9D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
  
  型号：GBL10 D2G
  仓库库存编号：GBL10 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 4A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4J-E3/45
  仓库库存编号：GBU4J-E3/45GI-ND
  别名：GBU4J
  GBU4J-E3/45-ND
  GBU4J-ND
  GBU4J/45
  GBU4J/45-ND
  GBU4JE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4D-E3/51
  仓库库存编号：GBU4D-E3/51-ND
  别名：GBU4DE351
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4K-E3/51
  仓库库存编号：GBU4K-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 100V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4B-E3/45
  仓库库存编号：GBU4B-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4D-E3/45
  仓库库存编号：GBU4D-E3/45GI-ND
  别名：GBU4D-E3/45-ND
  GBU4DE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 400V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU4G-E3/45
  仓库库存编号：GBU4G-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GPP GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU4M-E3/45
  仓库库存编号：GBU4M-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0104N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G-P014
  仓库库存编号：TN0104N3-G-P014-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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