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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 27.8W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF11N60
  仓库库存编号：785-1446-5-ND
  别名：785-1446-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 4A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.3A Through Hole GBU
  
  型号：G3SBA60-M3/51
  仓库库存编号：G3SBA60-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 4A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.3A Through Hole GBU
  
  型号：G3SBA60L-M3/51
  仓库库存编号：G3SBA60L-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 10A 200V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1002-BP
  仓库库存编号：GBJ1002-BPMS-ND
  别名：GBJ1002-BPMS
  GBJ1002BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 10A 1000V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1010-BP
  仓库库存编号：GBJ1010-BPMS-ND
  别名：GBJ1010-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 100V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1501-BP
  仓库库存编号：GBJ1501-BPMS-ND
  别名：GBJ1501-BPMS
  GBJ1501BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR862DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR862DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR862DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 26.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26.5A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6282
  仓库库存编号：AON6282-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF10T60PL
  仓库库存编号：785-1651-5-ND
  别名：785-1651-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW10T60P
  仓库库存编号：785-1654-5-ND
  别名：785-1654-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF10T60P
  仓库库存编号：785-1655-5-ND
  别名：785-1655-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60PL
  仓库库存编号：785-1694-5-ND
  别名：785-1694-5
  AOT10T60PL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60P
  仓库库存编号：AOTF10T60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ404G
  仓库库存编号：KBJ404GGN-ND
  别名：KBJ404GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 47W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC2D8N025S
  仓库库存编号：FDMC2D8N025S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF9N70
  仓库库存编号：AOWF9N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR214PBF
  仓库库存编号：IRFR214PBF-ND
  别名：*IRFR214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR214TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR214TRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7114DN-T1-GE3TR
  SI7114DNT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7114DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
  别名：SI7114DN-T1-GE3DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7703EDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7703EDN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7703EDN-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6469DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6469DQ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7230DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7230DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7421DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7421DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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