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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR164DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR164DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214PBF
  仓库库存编号：IRFD214PBF-ND
  别名：*IRFD214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8413DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8413DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8413DB-T1-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4914BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4914BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4914BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4505DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4505DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4505DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4505DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4914BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4914BDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8441DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8441DB-T2-E1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.4A（Tc） 5.7W（Ta），31.25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD23N06-31-T4-GE3
  仓库库存编号：SUD23N06-31-T4-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V 8A 10.8W, 24W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：SUD50NP04-77P-T4E3
  仓库库存编号：SUD50NP04-77P-T4E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.4A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK31NQ03LT,518
  仓库库存编号：PHK31NQ03LT,518-ND
  别名：934058879518
  PHK31NQ03LT /T3
  PHK31NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2540N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF12N50
  仓库库存编号：AOWF12N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12T50PL
  仓库库存编号：785-1712-5-ND
  别名：785-1712-5
  AOTF12T50PL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 139W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644B_FP001
  仓库库存编号：IRF644B_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA005 D2G
  仓库库存编号：GBLA005 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA01 D2G
  仓库库存编号：GBLA01 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA02 D2G
  仓库库存编号：GBLA02 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA04 D2G
  仓库库存编号：GBLA04 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06 D2G
  仓库库存编号：GBLA06 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA08 D2G
  仓库库存编号：GBLA08 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBL
  
  型号：GBLA10 D2G
  仓库库存编号：GBLA10 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 4A Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ401G
  仓库库存编号：KBJ401GGN-ND
  别名：KBJ401GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ402G
  仓库库存编号：KBJ402GGN-ND
  别名：KBJ402GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 6A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole KBU
  
  型号：KBU6A
  仓库库存编号：KBU6AGN-ND
  别名：KBU6AGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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