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• Micro Commercial Co
  TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Through Hole TO-220
  
  型号：TIP101-BP
  仓库库存编号：TIP101-BP-ND
  别名：TIP101BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS NPN 60V 1A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 3MHz Through Hole TO-220
  
  型号：TIP29A-BP
  仓库库存编号：TIP29A-BP-ND
  别名：TIP29ABP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB60-M3/51
  仓库库存编号：G2SB60-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 22A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6232
  仓库库存编号：785-1331-1-ND
  别名：785-1331-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHD5N50D-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 3.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：PSMN165-200K,518
  仓库库存编号：PSMN165-200K,518-ND
  别名：934056597518
  PSMN165-200K /T3
  PSMN165-200K /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7804DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7804DN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7804DN-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4116DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4116DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4900DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4900DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7405BDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7405BDN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7804DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7804DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
  
  型号：NTLLD4901NFTWG
  仓库库存编号：NTLLD4901NFTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 157A (Tc) 50W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
  
  型号：FDMC8010DC
  仓库库存编号：FDMC8010DC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ20005TB
  仓库库存编号：GBJ20005TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2001TB
  仓库库存编号：GBJ2001TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2002TB
  仓库库存编号：GBJ2002TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2004TB
  仓库库存编号：GBJ2004TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2008TB
  仓库库存编号：GBJ2008TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 200V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF02MA-E3/45
  仓库库存编号：DF02MA-E3/45GI-ND
  别名：DF02MA-E3/45-ND
  DF02MAE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 74W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N900U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N900U1T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR670DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR670DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR670DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 7A 24W TO220FP
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF8NC60KD
  仓库库存编号：497-7478-5-ND
  别名：497-7478-5
  STGF8NC60KD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL005-E3/51
  仓库库存编号：GBL005-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL01-E3/51
  仓库库存编号：GBL01-E3/51GI-ND
  别名：GBL01-E3/51-ND
  GBL01E351
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL04-E3/51
  仓库库存编号：GBL04-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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