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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1508TB
  仓库库存编号：GBJ1508TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 6A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.52W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP4025LSSQ-13
  仓库库存编号：DMP4025LSSQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6810
  仓库库存编号：785-1207-1-ND
  别名：785-1207-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL601G
  仓库库存编号：KBL601GGN-ND
  别名：KBL601GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL602G
  仓库库存编号：KBL602GGN-ND
  别名：KBL602GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL603G
  仓库库存编号：KBL603GGN-ND
  别名：KBL603GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL604G
  仓库库存编号：KBL604GGN-ND
  别名：KBL604GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL606G
  仓库库存编号：KBL606GGN-ND
  别名：KBL606GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL608G
  仓库库存编号：KBL608GGN-ND
  别名：KBL608GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 6A KBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 6A Through Hole KBL
  
  型号：KBL610G
  仓库库存编号：KBL610GGN-ND
  别名：KBL610GGN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830BPBF
  仓库库存编号：IRF830BPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP5N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP5N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4834CDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4834CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4834CDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6548
  仓库库存编号：785-1628-2-ND
  别名：785-1628-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF9N70
  仓库库存编号：AOTF9N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF730BPBF
  仓库库存编号：IRF730BPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHP6N40D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI06075
  仓库库存编号：FKI06075-ND
  别名：FKI06075 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ988DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ988DT-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 39W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF7N60FD
  仓库库存编号：AOTF7N60FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-251AA
  
  型号：SIHU5N50D-E3
  仓库库存编号：SIHU5N50D-E3-ND
  别名：SIHU5N50D-E3CT
  SIHU5N50D-E3CT-ND
  SIHU5N50DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G-P003
  仓库库存编号：VN0106N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA90DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA90DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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