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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4670DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4670DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4670DY-T1-GE3TR
  SI4670DYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7900AEDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7900AEDN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3948DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3948DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.2A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4668DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4668DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5441BDC-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7224DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7224DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4276DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4276DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4168DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4168DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4168DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7270DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7270DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SIR770DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR770DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H014LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H014LSS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G-P003
  仓库库存编号：TP2104N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0104N3-G-P013
  仓库库存编号：VN0104N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），46A（Tc） 7.4W（Ta），78W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6298
  仓库库存编号：AON6298-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB100 C2G
  仓库库存编号：UR8KB100 C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB60 C2G
  仓库库存编号：UR8KB60 C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 8A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole D3K
  
  型号：UR8KB80 C2G
  仓库库存编号：UR8KB80 C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL005-E3/45
  仓库库存编号：GBL005-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL02-E3/45
  仓库库存编号：GBL02-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL04-E3/45
  仓库库存编号：GBL04-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TM_F085
  仓库库存编号：FQD3P50TM_F085-ND
  
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ15005TB
  仓库库存编号：GBJ15005TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1501TB
  仓库库存编号：GBJ1501TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1502TB
  仓库库存编号：GBJ1502TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1504TB
  仓库库存编号：GBJ1504TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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