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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA01-E3/51
  仓库库存编号：GBLA01-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA02-E3/51
  仓库库存编号：GBLA02-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA04-E3/51
  仓库库存编号：GBLA04-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06-E3/51
  仓库库存编号：GBLA06-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA08-E3/51
  仓库库存编号：GBLA08-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA10-E3/51
  仓库库存编号：GBLA10-E3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TN2130K1-G
  仓库库存编号：TN2130K1-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP5322N8-G
  仓库库存编号：TP5322N8-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K0P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K0P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Ta） 910mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4802NR2G
  仓库库存编号：NTMS4802NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3660S
  仓库库存编号：FDMS3660SFSCT-ND
  别名：FDMS3660SFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4S60
  仓库库存编号：AOI4S60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD7N60NZTM
  仓库库存编号：FDD7N60NZTMCT-ND
  别名：FDD7N60NZTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A16DN8TC
  仓库库存编号：ZXMP6A16DN8TC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP4424ASTZ
  仓库库存编号：ZVP4424ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF5N50FD
  仓库库存编号：AOTF5N50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB60-M3/45
  仓库库存编号：G2SB60-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），75A（Tc） 860mW（Ta），43.1W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4937NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4937NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DUAL PT8 N 40/20V SYNCFET IN MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 11.4W Surface Mount 8-MLP (3x3)
  
  型号：FDMC9430L_F085
  仓库库存编号：FDMC9430L_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 8.3W（Tc） 8-SO
  
  型号：PSMN006-20K,518
  仓库库存编号：PSMN006-20K,518-ND
  别名：934057032518
  PSMN006-20K /T3
  PSMN006-20K /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 33W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ904DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ904DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ904DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），75A（Tc） 4.1W（Ta），46W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7510
  仓库库存编号：AON7510-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8401DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8401DB-T1-E1TR-ND
  别名：SI8401DB-T1-E1TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.2A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4668DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4668DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4668DY-T1-GE3TR
  SI4668DYT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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