以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60-M3/51
  仓库库存编号：G2SBA60-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA60-M3/45
  仓库库存编号：G2SBA60-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA80-M3/45
  仓库库存编号：G2SBA80-M3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBL
  
  型号：GBL206 D2G
  仓库库存编号：GBL206 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBL
  
  型号：GBL207 D2G
  仓库库存编号：GBL207 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 400V, 3A, 8A/A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-251 (IPAK)
  
  型号：TSC5303DCHC5G
  仓库库存编号：TSC5303DCHC5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL101G C1G
  仓库库存编号：HDBL101G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL102G C1G
  仓库库存编号：HDBL102G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL103G C1G
  仓库库存编号：HDBL103G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL104G C1G
  仓库库存编号：HDBL104G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL105G C1G
  仓库库存编号：HDBL105G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL106G C1G
  仓库库存编号：HDBL106G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL107G C1G
  仓库库存编号：HDBL107G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, FAST, 2A, 1000
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Surface Mount DBLS
  
  型号：RDBLS207GHC1G
  仓库库存编号：RDBLS207GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole D3K
  
  型号：UR4KB100-B C2G
  仓库库存编号：UR4KB100-B C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole D3K
  
  型号：UR4KB60-B C2G
  仓库库存编号：UR4KB60-B C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole D3K
  
  型号：UR4KB80-B C2G
  仓库库存编号：UR4KB80-B C2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634B_FP001
  仓库库存编号：IRF634B_FP001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N80C
  仓库库存编号：FQPF3N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3438DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3438DV-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4431BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4431BDY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMT10H015LK3-13
  仓库库存编号：DMT10H015LK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMHC4035LSDQ-13
  仓库库存编号：DMHC4035LSDQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT32M5LFG-13
  仓库库存编号：DMT32M5LFG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT32M5LFG-7
  仓库库存编号：DMT32M5LFG-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索