以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF4N90
  仓库库存编号：AOTF4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 1.5MHz Through Hole TO-220AB
  
  型号：BD810G
  仓库库存编号：BD810G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA005-E3/45
  仓库库存编号：GBLA005-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA01-E3/45
  仓库库存编号：GBLA01-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA02-E3/45
  仓库库存编号：GBLA02-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 400V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA04-E3/45
  仓库库存编号：GBLA04-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA06-E3/45
  仓库库存编号：GBLA06-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA08-E3/45
  仓库库存编号：GBLA08-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBLA10-E3/45
  仓库库存编号：GBLA10-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3.3W TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMP4010SK3-13
  仓库库存编号：DMP4010SK3-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 9A DFN5X6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A 1.6W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6884
  仓库库存编号：AON6884-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6932A
  仓库库存编号：AON6932A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 600mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NVGS3130NT1G
  仓库库存编号：NVGS3130NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 700V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT7N70
  仓库库存编号：AOT7N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
  
  型号：GBL204 D2G
  仓库库存编号：GBL204 D2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5515DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5515DC-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 4.2W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ800DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ800DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR864DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR864DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 100MHz 1.5W Surface Mount W-DFN3020-8
  
  型号：ZXTC6718MCQTA
  仓库库存编号：ZXTC6718MCQTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8SOFL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NCT1G
  仓库库存编号：NTMFS4935NCT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8SOFL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NCT3G
  仓库库存编号：NTMFS4935NCT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 36A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6932
  仓库库存编号：785-1372-1-ND
  别名：785-1372-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R950CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R950CFDBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT8N65
  仓库库存编号：AOT8N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 200V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SBA20-M3/51
  仓库库存编号：G2SBA20-M3/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索