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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 12A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6926
  仓库库存编号：785-1580-2-ND
  别名：AON6926-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  DIODE SCHOTTKY W-DFN5060-4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 30V 1A Surface Mount V-DFN5060-4
  
  型号：SDM1L30BLP-13
  仓库库存编号：SDM1L30BLP-13DI-ND
  别名：SDM1L30BLP-13DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 800V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Surface Mount DFS
  
  型号：DF1508S-G
  仓库库存编号：DF1508S-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1.5A 1000V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Surface Mount DFS
  
  型号：DF1510S-G
  仓库库存编号：DF1510S-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 85MHz Surface Mount DPAK-3
  
  型号：NJVMJD44H11G
  仓库库存编号：NJVMJD44H11G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P002
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P003
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P013
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G-P014
  仓库库存编号：VN10KN3-G-P014-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N60CTU
  仓库库存编号：FQU5N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta）, 64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C022NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C022NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta）, 46W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ068N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ068N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ068N06NSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 600V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB60-E3/45
  仓库库存编号：G2SB60-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 800V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
  
  型号：G2SB80-E3/45
  仓库库存编号：G2SB80-E3/45-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4939NR2G
  仓库库存编号：NTMS4939NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6234
  仓库库存编号：785-1332-1-ND
  别名：785-1332-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB05HD2G
  仓库库存编号：D2SB05HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB10HD2G
  仓库库存编号：D2SB10HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB20HD2G
  仓库库存编号：D2SB20HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB40HD2G
  仓库库存编号：D2SB40HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB60HD2G
  仓库库存编号：D2SB60HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBL
  
  型号：D2SB80HD2G
  仓库库存编号：D2SB80HD2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NBT3G
  仓库库存编号：NTMFS4935NBT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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