产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 2.0A 50V DF
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole 4-DF
型号:
DF2005-G
仓库库存编号:
DF2005-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole 4-DF
型号:
DF201-G
仓库库存编号:
DF201-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole 4-DF
型号:
DF202-G
仓库库存编号:
DF202-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 192W(Tc) TO-220
型号:
AOT7N60
仓库库存编号:
785-1189-5-ND
别名:785-1189-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7N60
仓库库存编号:
AOTF7N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) I-Pak
型号:
NDD04N50Z-1G
仓库库存编号:
NDD04N50Z-1GOS-ND
别名:NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NVMD4N03R2G
仓库库存编号:
NVMD4N03R2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),67A(Tc) 810mW(Ta),31W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C06NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C06NTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 18W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R3K3P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R3K3P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 150V 50NS 4SMD
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 150V 1A Surface Mount DFS
型号:
EDF1CS-E3/77
仓库库存编号:
EDF1CS-E3/77-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 50V 50NS 4SMD
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
型号:
EDF1AS-E3/77
仓库库存编号:
EDF1AS-E3/77GICT-ND
别名:EDF1AS-E3/77GICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6934
仓库库存编号:
785-1373-1-ND
别名:785-1373-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1.5A 200V GBL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole GBL
型号:
G2SBA20-E3/45
仓库库存编号:
G2SBA20-E3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1.5A 600V GBL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
型号:
G2SBA60-E3/45
仓库库存编号:
G2SBA60-E3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1.5A 600V GBL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole GBL
型号:
G2SBA60L-E3/45
仓库库存编号:
G2SBA60L-E3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1.5A 800V GBL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL
型号:
G2SBA80-E3/45
仓库库存编号:
G2SBA80-E3/45-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P002
仓库库存编号:
LND150N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P003
仓库库存编号:
LND150N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P013
仓库库存编号:
LND150N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
LND150N3-G-P014
仓库库存编号:
LND150N3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-251AA
型号:
SIHU3N50D-E3
仓库库存编号:
SIHU3N50D-E3-ND
别名:SIHU3N50D-E3CT
SIHU3N50D-E3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 25V 0.2A SC70-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Surface Mount SOT-323
型号:
MMST4126-7
仓库库存编号:
MMST4126DICT-ND
别名:MMST4126
MMST41267
MMST4126CT
MMST4126CT-ND
MMST4126DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 25V 0.2A SC70-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300MHz Surface Mount SOT-323
型号:
MMST4124-7
仓库库存编号:
MMST4124DICT-ND
别名:MMST4124
MMST41247
MMST4124CT
MMST4124CT-ND
MMST4124DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 200MHz Surface Mount SOT-323
型号:
MMST2907A-7
仓库库存编号:
MMST2907ADICT-ND
别名:MMST2907A
MMST2907A7
MMST2907ACT
MMST2907ACT-ND
MMST2907ADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 2.0A 800V DF
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole 4-DF
型号:
DF208-G
仓库库存编号:
DF208-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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