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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS444DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS444DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3460BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3460BDV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 2W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3951DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3951DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3993DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3993DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7326DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7326DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7326DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7326DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 51A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6504
  仓库库存编号：785-1364-1-ND
  别名：785-1364-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 8.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6984AS
  仓库库存编号：FDS6984ASFSCT-ND
  别名：FDS6984ASFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N90
  仓库库存编号：AOTF3N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN6A08E6QTA
  仓库库存编号：ZXMN6A08E6QTADICT-ND
  别名：ZXMN6A08E6QTADICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1.5A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V Through Hole DBL
  
  型号：DBL158GHC1G
  仓库库存编号：DBL158GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1.5A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V Through Hole DBL
  
  型号：DBL159GHC1G
  仓库库存编号：DBL159GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole DBL
  
  型号：DBL201GHC1G
  仓库库存编号：DBL201GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole DBL
  
  型号：DBL202GHC1G
  仓库库存编号：DBL202GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole DBL
  
  型号：DBL203GHC1G
  仓库库存编号：DBL203GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole DBL
  
  型号：DBL204GHC1G
  仓库库存编号：DBL204GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP4013LFGQ-13
  仓库库存编号：DMP4013LFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP4013LFGQ-7
  仓库库存编号：DMP4013LFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150MHz Surface Mount 3-WDFN (2x2)
  
  型号：NSV40501UW3T2G
  仓库库存编号：NSV40501UW3T2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR474DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR474DP-T1-RE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Surface Mount DPAK-3
  
  型号：NJVMJD44E3T4G
  仓库库存编号：NJVMJD44E3T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） TO-251
  
  型号：SIHU3N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHU3N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU3N50DA-GE3
  仓库库存编号：SIHU3N50DA-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8005GTB
  仓库库存编号：GBU8005GTB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU801GTB
  仓库库存编号：GBU801GTB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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