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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 200V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF02-G
  仓库库存编号：DF02-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHKD6N02LT,518
  仓库库存编号：PHKD6N02LT,518-ND
  别名：934056831518
  PHKD6N02LT /T3
  PHKD6N02LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole DBL
  
  型号：DBL101G C1G
  仓库库存编号：DBL101G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole DBL
  
  型号：DBL102G C1G
  仓库库存编号：DBL102G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole DBL
  
  型号：DBL103G C1G
  仓库库存编号：DBL103G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole DBL
  
  型号：DBL104G C1G
  仓库库存编号：DBL104G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole DBL
  
  型号：DBL105G C1G
  仓库库存编号：DBL105G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 3A 100V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP01M-E4/51
  仓库库存编号：3KBP01M-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 3A 200V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP02M-E4/51
  仓库库存编号：3KBP02M-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE BRIDGE 3A 800V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP08M-E4/51
  仓库库存编号：3KBP08M-E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF05N50ZH
  仓库库存编号：NDF05N50ZH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 20V 3.5A DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 180MHz Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXTPS718MCTA
  仓库库存编号：ZXTPS718MCTATR-ND
  别名：ZXTPS718MCTATR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6484
  仓库库存编号：AON6484-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3C50
  仓库库存编号：AOD3C50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFGQ-13
  仓库库存编号：DMN3008SFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFGQ-7
  仓库库存编号：DMN3008SFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFGQ-13
  仓库库存编号：DMN6013LFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFGQ-7
  仓库库存编号：DMN6013LFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 2.7W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP3007SPS-13
  仓库库存编号：DMP3007SPS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 800V DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF08S-G
  仓库库存编号：DF08S-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT BIPO 600V 3A TO220
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220
  
  型号：STGP3HF60HD
  仓库库存编号：STGP3HF60HD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 7.5A TO220FP
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF3HF60HD
  仓库库存编号：STGF3HF60HD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  BRIDGE RECTIFIER TT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Surface Mount TT
  
  型号：TT410-13
  仓库库存编号：TT410-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.3A（Ta），64A（Tc） 1.47W（Ta），22.73W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4985NFTAG
  仓库库存编号：NTTFS4985NFTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4985NFTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 21A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），21A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7450
  仓库库存编号：785-1236-1-ND
  别名：785-1236-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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