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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 400V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP04M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP04M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 600V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP06M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP06M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 800V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP08M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP08M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NSS40300MDR2G
  仓库库存编号：NSS40300MDR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1A 800V DB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DB
  
  型号：DB106-G
  仓库库存编号：DB106-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 800V DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF08-G
  仓库库存编号：DF08-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55.6A（Tc） 27.8W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3006LFG-13
  仓库库存编号：DMT3006LFG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），46A（Tc） 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C029NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C029NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF5N50
  仓库库存编号：AOTF5N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  DIODE SBR 2A 40V V-DFN5060-4
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 40V 2A Surface Mount V-DFN5060-4
  
  型号：SBR2A40BLP-13
  仓库库存编号：SBR2A40BLP-13DICT-ND
  别名：SBR2A40BLP-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：CWDM305PD TR13
  仓库库存编号：CWDM305PD TR-ND
  别名：CWDM305PD TR
  CWDM305PD TR13 LEAD FREE
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4C12NTAG
  仓库库存编号：NTLUS4C12NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：NTLUS4C12NTBG
  仓库库存编号：NTLUS4C12NTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMC6070LND-13
  仓库库存编号：DMC6070LND-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMC6070LND-7
  仓库库存编号：DMC6070LND-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.4W（Ta）, 62W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3003LFG-13
  仓库库存编号：DMT3003LFG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 2.4W（Ta）, 62W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT3003LFG-7
  仓库库存编号：DMT3003LFG-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.4W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMP3007SCG-13
  仓库库存编号：DMP3007SCG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.4W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMP3007SCG-7
  仓库库存编号：DMP3007SCG-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS698DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS698DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 50V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP2005G-G
  仓库库存编号：KBP2005G-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 200V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP202G-G
  仓库库存编号：KBP202G-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 600V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP206G-G
  仓库库存编号：KBP206G-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIGE RECTIFIER 2A 800V KBP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole KBP
  
  型号：KBP208G-G
  仓库库存编号：KBP208G-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.4A 3.57W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHKD13N03LT,518
  仓库库存编号：PHKD13N03LT,518-ND
  别名：934057755518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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