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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 45V 1.5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN Through Hole TO-225
  
  型号：BD135TG
  仓库库存编号：BD135TG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 30V 1.5A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.5A 265MHz, 195MHz 700mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：ZXTC2045E6QTA
  仓库库存编号：ZXTC2045E6QTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6005TB
  仓库库存编号：GBU6005TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU601TB
  仓库库存编号：GBU601TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBU
  
  型号：GBU602TB
  仓库库存编号：GBU602TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU604TB
  仓库库存编号：GBU604TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU608TB
  仓库库存编号：GBU608TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN3306ASTZ
  仓库库存编号：ZVN3306ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN3310ASTZ
  仓库库存编号：ZVN3310ASTZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140MHz Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NSS40200UW6T1G
  仓库库存编号：NSS40200UW6T1GOSTR-ND
  别名：NSS40200UW6T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
  详细描述：Mosfet Array N-Channel 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8902AEDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8902AEDB-T2-E1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole DBL
  
  型号：DBL101GHC1G
  仓库库存编号：DBL101GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole DBL
  
  型号：DBL102GHC1G
  仓库库存编号：DBL102GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole DBL
  
  型号：DBL103GHC1G
  仓库库存编号：DBL103GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole DBL
  
  型号：DBL104GHC1G
  仓库库存编号：DBL104GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole DBL
  
  型号：DBL105GHC1G
  仓库库存编号：DBL105GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole DBL
  
  型号：DBL106GHC1G
  仓库库存编号：DBL106GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole DBL
  
  型号：DBL107GHC1G
  仓库库存编号：DBL107GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT03N40ZT3G
  仓库库存编号：NDT03N40ZT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tc） 2W（Tc） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NDT03N40ZT1G
  仓库库存编号：NDT03N40ZT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 8V 10A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 890mW（Ta） U-WLB1515-9
  
  型号：DMP1012UCB9-7
  仓库库存编号：DMP1012UCB9-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 19A TO251B
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta） 59.5W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY2610E
  仓库库存编号：AOY2610E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 50V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP005M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP005M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 100V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP01M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP01M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 3A 200V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole KBPM
  
  型号：3KBP02M-M4/51
  仓库库存编号：3KBP02M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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