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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 100V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP01M-M4/51
  仓库库存编号：KBP01M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 200V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP02M-M4/51
  仓库库存编号：KBP02M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 400V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP04M-M4/51
  仓库库存编号：KBP04M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 600V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP06M-M4/51
  仓库库存编号：KBP06M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP08M-M4/51
  仓库库存编号：KBP08M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 1000V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP10M-M4/51
  仓库库存编号：KBP10M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS780DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS780DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），52A（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C027NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C027NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），75A（Tc） 5.6W（Ta），35.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6538
  仓库库存编号：AON6538-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA915DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA915DJ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA920DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA920DJ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3016LDV-13
  仓库库存编号：DMN3016LDV-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 21A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3016LDV-7
  仓库库存编号：DMN3016LDV-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100MHz Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：NSV60200LT1G
  仓库库存编号：NSV60200LT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100MHz Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：NSV60201LT1G
  仓库库存编号：NSV60201LT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：SSR1N60BTM_WS
  仓库库存编号：SSR1N60BTM_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS626DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS626DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1473DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1473DH-T1-E3TR-ND
  别名：SI1473DH-T1-E3TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1469DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1469DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1469DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4936CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4936CDY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
  详细描述：JFET N-Channel 30mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：SMMBF4393LT1G
  仓库库存编号：SMMBF4393LT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38.3A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS322DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS322DNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS322DNT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 70V 2A SOT666
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 200MHz Surface Mount SOT-666
  
  型号：ZXTN26070CV-7
  仓库库存编号：ZXTN26070CV-7DI-ND
  别名：ZXTN26070CV-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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