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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 450V 1.5A TO252
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 4MHz Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：DXT13003DK-13
  仓库库存编号：DXT13003DK-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 40V 8.3A 1.5W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：DMC4029SK4-13
  仓库库存编号：DMC4029SK4-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
  
  型号：DMN2008LFU-13
  仓库库存编号：DMN2008LFU-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W 8-SO
  
  型号：DMN3007LSSQ-13
  仓库库存编号：DMN3007LSSQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 2.8W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMP3028LK3Q-13
  仓库库存编号：DMP3028LK3Q-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP3017SFK-13
  仓库库存编号：DMP3017SFK-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVTQ-13
  仓库库存编号：DMP6110SVTQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），38A（Tc） 2.46W（Ta），21.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C032NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C032NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 15V, 5000MW, %, AE
  详细描述：Zener Diode 5W ±5% Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  
  型号：1SMC5352HR7G
  仓库库存编号：1SMC5352HR7G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 50V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF005S-E3/77
  仓库库存编号：DF005S-E3/77GICT-ND
  别名：DF005S-E3/77GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 44A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta），44A（Tc） 790mW（Ta）, 23.6W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C10NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C10NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TRANS NPN 100V 1A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 3MHz Through Hole TO-220
  
  型号：TIP29C-BP
  仓库库存编号：TIP29C-BP-ND
  别名：TIP29CBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
  
  型号：AON3816
  仓库库存编号：785-1132-2-ND
  别名：785-1132-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4438
  仓库库存编号：785-1032-1-ND
  别名：785-1032-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 780mW（Ta），21.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C13NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C13NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS496EDNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS496EDNT-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），75A（Tc） 860mW（Ta），43.1W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4937NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4937NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 50V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N246-M4/51
  仓库库存编号：3N246-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 100V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N247-M4/51
  仓库库存编号：3N247-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 200V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N248-M4/51
  仓库库存编号：3N248-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 400V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N249-M4/51
  仓库库存编号：3N249-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 600V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N250-M4/51
  仓库库存编号：3N250-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 800V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N251-M4/51
  仓库库存编号：3N251-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：3N252-M4/51
  仓库库存编号：3N252-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1.5A 50V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP005M-M4/51
  仓库库存编号：KBP005M-M4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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