以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH170N25X3
  仓库库存编号：IXFH170N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 100V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 100V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT10
  仓库库存编号：26MT10-ND
  别名：*26MT10
  26MT10
  VS-26MT10-ND
  VS26MT10
  VS26MT10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK170N25X3
  仓库库存编号：IXFK170N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK80N65X2
  仓库库存编号：IXFK80N65X2-ND
  别名：IXFK80N65X2X
  IXFK80N65X2X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BLLG
  仓库库存编号：APT10090BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1400V 25A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 25A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-26MT140
  仓库库存编号：26MT140-ND
  别名：*26MT140
  26MT140
  VS-26MT140-ND
  VS26MT140
  VS26MT140-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 1400V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT140
  仓库库存编号：36MT140-ND
  别名：*36MT140
  36MT140
  VS-36MT140-ND
  VS36MT140
  VS36MT140-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX66N85X
  仓库库存编号：IXFX66N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/240A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 240A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX240N25X3
  仓库库存编号：IXFX240N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 140A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE140NF20D
  仓库库存编号：497-10986-5-ND
  别名：497-10986-5
  STE140NF20D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT45GP120JDQ2
  仓库库存编号：APT45GP120JDQ2-ND
  别名：APT45GP120JDQ2MI
  APT45GP120JDQ2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD19NF20
  仓库库存编号：STD19NF20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE
  详细描述：底座安装 N 沟道 110A（Tc） 1170W (Tc) SOT-227B
  
  型号：IXFN110N85X
  仓库库存编号：IXFN110N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3906L RFG
  仓库库存编号：MMBT3906L RFG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.2A SC70
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：SMMBT3906WT1G
  仓库库存编号：SMMBT3906WT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 100mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：MMBT3416LT3G
  仓库库存编号：MMBT3416LT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：BC858AWT1G
  仓库库存编号：BC858AWT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：SBC848BLT1G
  仓库库存编号：SBC848BLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 800mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：BCW65ALT1G
  仓库库存编号：BCW65ALT1GOSTR-ND
  别名：BCW65ALT1G-ND
  BCW65ALT1GOSTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：SMMBT4403LT1G
  仓库库存编号：SMMBT4403LT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：SBC847AWT1G
  仓库库存编号：SBC847AWT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 40V 600MA SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 310mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT4401-13-F
  仓库库存编号：MMBT4401-13-F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：BC858BWT1G
  仓库库存编号：BC858BWT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：NSVBC858BLT1G
  仓库库存编号：NSVBC858BLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  
  型号：NSVBC848CLT1G
  仓库库存编号：NSVBC848CLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索