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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N80E-GE3
  仓库库存编号：SIHP17N80E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 850V TO-220 FULLPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA17N80E-E3
  仓库库存编号：SIHA17N80E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60M2
  仓库库存编号：497-14292-5-ND
  别名：497-14292-5
  STW28N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW6N120K3
  仓库库存编号：497-12122-ND
  别名：497-12122
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N80E-GE3
  仓库库存编号：SIHG17N80E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 41A 160W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG4PH40UD2-EP
  仓库库存编号：IRG4PH40UD2-EP-ND
  别名：*IRG4PH40UD2-EP
  IRG4PH40UD2EP
  SP001533572
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 540W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA34N65X2
  仓库库存编号：IXFA34N65X2-ND
  别名：IXFA34N65X2X
  IXFA34N65X2X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 540W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH34N65X2
  仓库库存编号：IXTH34N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 60A 208W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG30N60B3D
  仓库库存编号：HGTG30N60B3D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH28N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH28N60E-T1-GE3-ND
  别名：SIHH28N60E-T1-GE3CT
  SIHH28N60E-T1-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI42N65M5
  仓库库存编号：497-8899-5-ND
  别名：497-8899-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP80N25X3
  仓库库存编号：IXFP80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA80N25X3
  仓库库存编号：IXFA80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 66A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 66A（Tc） 446W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：STWA70N60DM2
  仓库库存编号：STWA70N60DM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW12N120K5
  仓库库存编号：STFW12N120K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  POWER MOSFET
  详细描述：N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc）
  
  型号：STW70N60M2-4
  仓库库存编号：STW70N60M2-4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 446W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW70N65M2
  仓库库存编号：STW70N65M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 780W（Tc）
  
  型号：IXFH60N65X2
  仓库库存编号：IXFH60N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 417W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG44N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG44N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
  详细描述：IGBT 1200V 78A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG4PSH71KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PSH71KDPBF-ND
  别名：*IRG4PSH71KDPBF
  SP001547842
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET NCH 850V 40A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH40N85X
  仓库库存编号：IXFH40N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG80N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG80N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH150N25X3
  仓库库存编号：IXFH150N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK50N85X
  仓库库存编号：IXFK50N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 370W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M70BVRG
  仓库库存编号：APT30M70BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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