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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2506-M3/45
  仓库库存编号：BU2506-M3/45GI-ND
  别名：BU2506-M3/45-ND
  BU2506-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 1000V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2510-M3/45
  仓库库存编号：BU2510-M3/45GI-ND
  别名：BU2510-M3/45-ND
  BU2510-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP9NK80Z
  仓库库存编号：497-5133-5-ND
  别名：497-5133-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB43N60DM2
  仓库库存编号：STB43N60DM2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60NB190CI C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM9N90ECZ C0G
  仓库库存编号：TSM9N90ECZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 26A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP33N60M2
  仓库库存编号：497-14221-5-ND
  别名：497-14221-5
  STP33N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM8N80CZ C0G
  仓库库存编号：TSM8N80CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24NM60N
  仓库库存编号：497-11211-1-ND
  别名：497-11211-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 30A 600V ENHANCE PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 30A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3006-E3/45
  仓库库存编号：PB3006-E3/45GI-ND
  别名：PB3006-E3/45-ND
  PB3006-E3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 30A 1000V ENHANCE PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 30A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3010-E3/45
  仓库库存编号：PB3010-E3/45GI-ND
  别名：PB3010-E3/45-ND
  PB3010-E3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 16.5A 125W TO220
  详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Through Hole PG-TO220-3
  
  型号：SGP07N120XKSA1
  仓库库存编号：SGP07N120XKSA1-ND
  别名：SGP07N120
  SGP07N120-ND
  SP000683116
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N105K5
  仓库库存编号：497-15279-5-ND
  别名：497-15279-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM7N90CZ C0G
  仓库库存编号：TSM7N90CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE DIODE GPP 50A 600V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5006-G
  仓库库存编号：641-1860-ND
  别名：641-1860
  KBPC5006-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 40A 1000V ENHANCE PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 40A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB4010-E3/45
  仓库库存编号：PB4010-E3/45GI-ND
  别名：PB4010-E3/45-ND
  PB4010-E3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM8N80CI C0G
  仓库库存编号：TSM8N80CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM9N90ECI C0G
  仓库库存编号：TSM9N90ECI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP12N65X2
  仓库库存编号：IXTP12N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15NM60ND
  仓库库存编号：STF15NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM10N80CZ C0G
  仓库库存编号：TSM10N80CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 40.3W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM7N90CI C0G
  仓库库存编号：TSM7N90CI C0G-ND
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW52NK25Z
  仓库库存编号：497-4428-5-ND
  别名：497-4428-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD BRIDGE 1PH 8A D-72
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole D-72
  
  型号：VS-KBPC810PBF
  仓库库存编号：VS-KBPC810PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP22NM60N
  仓库库存编号：497-10306-5-ND
  别名：497-10306-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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