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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM70N600CH C5G
  仓库库存编号：TSM70N600CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW9NK90Z
  仓库库存编号：497-2784-5-ND
  别名：497-2784-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14N80K5
  仓库库存编号：STB14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK30Z
  仓库库存编号：497-7502-5-ND
  别名：497-7502-5
  STP12NK30Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NK50Z
  仓库库存编号：497-12604-5-ND
  别名：497-12604-5
  STP11NK50Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006-M3/45
  仓库库存编号：BU1006-M3/45GI-ND
  别名：BU1006-M3/45-ND
  BU1006-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1008-M3/45
  仓库库存编号：BU1008-M3/45GI-ND
  别名：BU1008-M3/45-ND
  BU1008-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1010-M3/45
  仓库库存编号：BU1010-M3/45GI-ND
  别名：BU1010-M3/45-ND
  BU1010-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW20N60M2-EP
  仓库库存编号：STW20N60M2-EP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP17N80K5
  仓库库存编号：STP17N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2506TA
  仓库库存编号：1655-1871-1-ND
  别名：1655-1871-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4N90CI C0G
  仓库库存编号：TSM4N90CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK80Z
  仓库库存编号：497-6737-5-ND
  别名：497-6737-5
  STP12NK80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1206-M3/45
  仓库库存编号：BU1206-M3/45GI-ND
  别名：BU1206-M3/45-ND
  BU1206-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1208-M3/45
  仓库库存编号：BU1208-M3/45GI-ND
  别名：BU1208-M3/45-ND
  BU1208-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 12A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1210-M3/45
  仓库库存编号：BU1210-M3/45GI-ND
  别名：BU1210-M3/45-ND
  BU1210-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60N600CI C0G
  仓库库存编号：TSM60N600CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15NM65N
  仓库库存编号：497-11866-5-ND
  别名：497-11866-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM60N380CZ C0G
  仓库库存编号：TSM60N380CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM4N80CI C0G
  仓库库存编号：TSM4N80CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF17N80K5
  仓库库存编号：STF17N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 10A 400V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC1004-G
  仓库库存编号：641-1847-ND
  别名：641-1847
  KBPC1004-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R800C3
  仓库库存编号：IPA90R800C3-ND
  别名：IPA90R800C3XKSA1
  SP000413718
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 15A 800V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1508-M3/45
  仓库库存编号：BU1508-M3/45GI-ND
  别名：BU1508-M3/45-ND
  BU1508-M3/45GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI20N65M5
  仓库库存编号：497-13774-5-ND
  别名：497-13774-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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