产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM033NA03CR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM033NA03CR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM033NA03CR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 91A（Tc） 113W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM070NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM070NA04LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM35N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM35N10CP ROGTR-ND
别名：TSM35N10CP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM35N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM35N10CP ROGCT-ND
别名：TSM35N10CP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM35N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM35N10CP ROGDKR-ND
别名：TSM35N10CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA24DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA24DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA24DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 43W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRC10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRC10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRC10DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGTR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGCT-ND
别名：TSM038N04LCP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGDKR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGTR-ND
别名：TSM2N100CP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGCT-ND
别名：TSM2N100CP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGDKR-ND
别名：TSM2N100CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 400V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） DPAK
型号：
STD3N40K3
仓库库存编号：
497-13265-1-ND
别名：497-13265-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL3N65M2
仓库库存编号：
STL3N65M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70NB1R4CP ROGTR-ND
别名：TSM70NB1R4CP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70NB1R4CP ROGCT-ND
别名：TSM70NB1R4CP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 28W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70NB1R4CP ROG
仓库库存编号：
TSM70NB1R4CP ROGDKR-ND
别名：TSM70NB1R4CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISS28DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS28DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS28DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 30V 9A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
型号：
STS9P3LLH6
仓库库存编号：
STS9P3LLH6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STU3N65M6
仓库库存编号：
STU3N65M6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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