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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB150N65X2
  仓库库存编号：IXFB150N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N25L2
  仓库库存编号：IXTK90N25L2-ND
  别名：622089
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT01AHZ
  仓库库存编号：MAT01AHZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN170P10P
  仓库库存编号：IXTN170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN200N07
  仓库库存编号：IXFN200N07-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
  
  型号：APT75GP120B2G
  仓库库存编号：APT75GP120B2G-ND
  别名：APT75GP120B2GMI
  APT75GP120B2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90N25L2
  仓库库存编号：IXTX90N25L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK60N50L2
  仓库库存编号：IXTK60N50L2-ND
  别名：622124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10L2
  仓库库存编号：IXTK200N10L2-ND
  别名：Q7017004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N10
  仓库库存编号：IXFN180N10-ND
  别名：479462
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN110N60P3
  仓库库存编号：IXFN110N60P3-ND
  别名：625715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 72A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60P
  仓库库存编号：IXFN82N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 178W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3207WS
  仓库库存编号：TPH3207WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 3600V 70A TO-247HV
  详细描述：IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXBH20N360HV
  仓库库存编号：IXBH20N360HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 280A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN280N085
  仓库库存编号：IXFN280N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN60N50L2
  仓库库存编号：IXTN60N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 32A 250W I4PAC
  详细描述：IGBT NPT 2500V 32A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXLF19N250A
  仓库库存编号：IXLF19N250A-ND
  别名：Q1750432
  Q6027284
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N450HV
  仓库库存编号：IXTT1N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JFLL
  仓库库存编号：APT50M65JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 230A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N10
  仓库库存编号：IXFN230N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 80A 400W TO247
  详细描述：IGBT 3000V 80A 400W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH32N300
  仓库库存编号：IXBH32N300-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 128A 543W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GP120JDQ3
  仓库库存编号：APT75GP120JDQ3-ND
  别名：APT75GP120JDQ3MI
  APT75GP120JDQ3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 1135W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN50N80Q2
  仓库库存编号：IXFN50N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1N450
  仓库库存编号：IXTF1N450-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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