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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 481W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT77N60BC6
  仓库库存编号：APT77N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5014BLLG
  仓库库存编号：APT5014BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75M50L
  仓库库存编号：APT75M50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 150A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT50GP60B2DQ2GMI
  APT50GP60B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P20P
  仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT84M50L
  仓库库存编号：APT84M50L-ND
  别名：APT84M50LMI
  APT84M50LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84M50B2
  仓库库存编号：APT84M50B2-ND
  别名：APT84M50B2MI
  APT84M50B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：APT40GR120B2SCD10
  仓库库存编号：APT40GR120B2SCD10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT28M120L
  仓库库存编号：APT28M120L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX55N50
  仓库库存编号：IXFX55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51F50J
  仓库库存编号：APT51F50J-ND
  别名：APT51F50JMI
  APT51F50JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT19F100J
  仓库库存编号：APT19F100J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 153A 446W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GN120J
  仓库库存编号：APT100GN120J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT40N60JCU2
  仓库库存编号：APT40N60JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
  详细描述：IGBT NPT 2500V 30A 114W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF25N250
  仓库库存编号：IXGF25N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
  详细描述：IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXBX75N170
  仓库库存编号：IXBX75N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH48N60C3C1
  仓库库存编号：IXGH48N60C3C1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 120A 521W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GF120JRDQ3
  仓库库存编号：APT50GF120JRDQ3-ND
  别名：APT50GF120JRDQ3MI
  APT50GF120JRDQ3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGTR-ND
  别名：MMBT3904L RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGCT-ND
  别名：MMBT3904L RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904L RFG
  仓库库存编号：MMBT3904L RFGDKR-ND
  别名：MMBT3904L RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGTR-ND
  别名：MMBT3904 RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGCT-ND
  别名：MMBT3904 RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：MMBT3904 RFG
  仓库库存编号：MMBT3904 RFGDKR-ND
  别名：MMBT3904 RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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