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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 284W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW32N50C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW32N50C3FKSA1-ND
  别名：SP000014625
  SPW32N50C3
  SPW32N50C3-ND
  SPW32N50C3IN
  SPW32N50C3IN-ND
  SPW32N50C3X
  SPW32N50C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65X
  仓库库存编号：IXTP20N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 55A 200W TO247-3
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50UD-EPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50UD-EPBF-ND
  别名：*IRG4PC50UD-EPBF
  IRG4PC50UDEPBF
  SP001544774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 48A 223W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT27GA90BD15
  仓库库存编号：APT27GA90BD15-ND
  别名：APT27GA90BD15MI
  APT27GA90BD15MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB80A
  仓库库存编号：26MB80A-ND
  别名：*26MB80A
  26MB80A
  VS-26MB80A-ND
  VS26MB80A
  VS26MB80A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 67A 272W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GN120BG
  仓库库存编号：APT25GN120BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GR120S
  仓库库存编号：APT25GR120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB100A
  仓库库存编号：VS-26MB100AGI-ND
  别名：*26MB100A
  26MB100A
  26MB100A-ND
  VS-26MB100A-ND
  VS-26MB100AGI
  VS26MB100A
  VS26MB100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 660W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH52N65X
  仓库库存编号：IXTH52N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT68GA60B
  仓库库存编号：APT68GA60B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 75A 380W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH40N120C3
  仓库库存编号：IXGH40N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 50A
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-247
  
  型号：STW58N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16131-5-ND
  别名：497-16131-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 117A 500W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT64GA90B
  仓库库存编号：APT64GA90B-ND
  别名：APT64GA90BMI
  APT64GA90BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N20Q3
  仓库库存编号：IXFH70N20Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1700V 6A 75W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 6A 75W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH6N170A
  仓库库存编号：IXGH6N170A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 134A 543W TO-247
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
  
  型号：APT50GN120B2G
  仓库库存编号：APT50GN120B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 108A COPAK247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH46UD-EP
  仓库库存编号：IRG7PH46UD-EP-ND
  别名：SP001540700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 117A 694W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247
  
  型号：APT50GR120B2
  仓库库存编号：APT50GR120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1400V 35A D34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 35A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-36MB140A
  仓库库存编号：36MB140A-ND
  别名：*36MB140A
  36MB140A
  VS-36MB140A-ND
  VS36MB140A
  VS36MB140A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 117A 500W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
  
  型号：APT64GA90B2D30
  仓库库存编号：APT64GA90B2D30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50L2
  仓库库存编号：IXTQ40N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT56F50B2
  仓库库存编号：APT56F50B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT34F60B
  仓库库存编号：APT34F60B-ND
  别名：APT34F60BMI
  APT34F60BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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