以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60L2
  仓库库存编号：IXTH30N60L2-ND
  别名：622201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 446W（Tc） TO-247
  
  型号：STW21N150K5
  仓库库存编号：497-16028-5-ND
  别名：497-16028-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60L2
  仓库库存编号：IXTT30N60L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100
  仓库库存编号：IXFH12N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N80P
  仓库库存编号：IXFK44N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK40P50P
  仓库库存编号：IXTK40P50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170P10P
  仓库库存编号：IXTK170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90P20P
  仓库库存编号：IXTK90P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N30P
  仓库库存编号：IXFK140N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK80N50P
  仓库库存编号：IXFK80N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60P
  仓库库存编号：IXFX64N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX140N30P
  仓库库存编号：IXFX140N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Analog Devices Inc.
  TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT01GHZ
  仓库库存编号：MAT01GHZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N65X2
  仓库库存编号：IXFX120N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 75A 350W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1700V 75A 350W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH32N170
  仓库库存编号：IXGH32N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 3-PHA 1600V 35A D-63
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 35A QC Terminal D-63
  
  型号：VS-36MT160
  仓库库存编号：36MT160-ND
  别名：*36MT160
  36MT160
  VS-36MT160-ND
  VS36MT160
  VS36MT160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N170D2
  仓库库存编号：IXTT2N170D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT37M100L
  仓库库存编号：APT37M100L-ND
  别名：APT37M100LMI
  APT37M100LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1700V 80A 360W TO247
  详细描述：IGBT 1700V 80A 360W Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH42N170
  仓库库存编号：IXBH42N170-ND
  别名：Q1157068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 130A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN160N30T
  仓库库存编号：IXFN160N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB60N80P
  仓库库存编号：IXFB60N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT02N450HV
  仓库库存编号：IXTT02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 625W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK55N50
  仓库库存编号：IXFK55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N50
  仓库库存编号：IXFN44N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N50
  仓库库存编号：IXFN48N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索