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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 30A PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 30A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3008-E3/45
  仓库库存编号：PB3008-E3/45GIGI-ND
  别名：PB3008-E3/45GI
  PB3008-E3/45GI-ND
  PB3008-E3/45GIGI
  PB3008E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP20N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHP20N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190E6
  仓库库存编号：IPP60R190E6-ND
  别名：IPP60R190E6XKSA1
  SP000797378
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 40A PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 40A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB4008-E3/45
  仓库库存编号：PB4008-E3/45GIGI-ND
  别名：PB4008-E3/45GI
  PB4008-E3/45GI-ND
  PB4008-E3/45GIGI
  PB4008E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N60UFDTU
  仓库库存编号：FGH40N60UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA15N60E-E3-ND
  别名：SIHA15N60E-E3CT
  SIHA15N60E-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA25N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA25N50E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG20N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHG20N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 42W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXFP5N100PM
  仓库库存编号：IXFP5N100PM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF15N65E-GE3-ND
  别名：SIHF15N65E-GE3CT
  SIHF15N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2506W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC2506W-E4/51GI-ND
  别名：GBPC2506W-E4/51GI
  GBPC2506W/1
  GBPC2506W/1GI
  GBPC2506W/1GI-ND
  GBPC2506WE451
  GBPC2506WGI
  GBPC2506WGI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：SIHB21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB21N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N80K5
  仓库库存编号：497-13441-ND
  别名：497-13441
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：STP36N60M6
  仓库库存编号：497-17552-ND
  别名：497-17552
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 312W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N50D-GE3-ND
  别名：SIHG22N50DGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF22N65E-GE3-ND
  别名：SIHF22N65E-GE3CT
  SIHF22N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：STW36N60M6
  仓库库存编号：497-17553-ND
  别名：497-17553
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-GE3-ND
  别名：SIHP24N65E-GE3CT
  SIHP24N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ32N65X
  仓库库存编号：IXTQ32N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-GE3-ND
  别名：SIHB30N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-3P
  
  型号：FCA16N60N
  仓库库存编号：FCA16N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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