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产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,

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分立半导体产品 (24622)

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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?

型号：SI8902EDB-T2-E1
仓库库存编号：SI8902EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8902EDB-T2-E1CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO

型号：SI4378DY-T1-GE3
仓库库存编号：SI4378DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4378DY-T1-GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK

型号：STD12N50DM2
仓库库存编号：497-16347-1-ND
别名：497-16347-1

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8

型号：SI7464DP-T1-E3
仓库库存编号：SI7464DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7464DP-T1-E3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8

型号：SI7464DP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7464DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7464DP-T1-GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 200V 50NS 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DFM

型号：EDF1DM-E3/45
仓库库存编号：EDF1DM-E3/45GI-ND
别名：EDF1DM-E3/45-ND
EDF1DM-E3/45GI
EDF1DME345

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB

型号：DMG4N65CTI
仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
别名：DMG4N65CTIDI

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR476DP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR476DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR476DP-T1-GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）

型号：SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名：SIHB6N65E-GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号：SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7634BDP-T1-GE3CT

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）

型号：STU3LN80K5
仓库库存编号：497-17295-ND
别名：497-17295
STU3LN80K5-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3

型号：DMG4N65CT
仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
别名：DMG4N65CTDI

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 3A 800V GBPC1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole GBPC1

型号：GBPC108-E4/51
仓库库存编号：GBPC108-E4/51-ND
别名：GBPC108E451

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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220

型号：STP4LN80K5
仓库库存编号：497-17294-ND
别名：497-17294
STP4LN80K5-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 200V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.3A Through Hole GBU

型号：G3SBA20-E3/51
仓库库存编号：G3SBA20-E3/51GI-ND
别名：G3SBA20-E3/51-ND
G3SBA20-E3/51GI

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole KBL

型号：KBL410-G
仓库库存编号：641-1686-ND
别名：641-1686
KBL410-G-ND

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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
详细描述：通孔 N 沟道 5.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包

型号：SIHF5N50D-E3
仓库库存编号：SIHF5N50D-E3-ND
别名：SIHF5N50D-E3CT
SIHF5N50D-E3CT-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220

型号：AOT12N60
仓库库存编号：785-1192-5-ND
别名：785-1192-5

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 6A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 6A Through Hole GBU

型号：GBU6005
仓库库存编号：GBU6005-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 30A 42W TO-220F
详细描述：IGBT NPT 600V 30A 42W Through Hole TO-220F-3

型号：FGPF15N60UNDF
仓库库存编号：FGPF15N60UNDF-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3

型号：FDP8N50NZ
仓库库存编号：FDP8N50NZ-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB

型号：DMG9N65CTI
仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
别名：DMG9N65CTIDI

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP

型号：SPA04N80C3
仓库库存编号：SPA04N80C3IN-ND
别名：SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND

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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 1000V GPP INLINE
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.9A Through Hole GBU

型号：GBU8M-E3/51
仓库库存编号：GBU8M-E3/51GI-ND
别名：GBU8M-E3/51-ND
GBU8ME351

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK

型号：IRFBC30ASPBF
仓库库存编号：IRFBC30ASPBF-ND
别名：*IRFBC30ASPBF

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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