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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 44A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6792
  仓库库存编号：785-1744-1-ND
  别名：785-1744-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.6A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7772DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7772DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7772DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 10V 4A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 10V 4A 150MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：FCX1047ATA
  仓库库存编号：FCX1047ACT-ND
  别名：FCX1047ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 20V 7.5A SOT89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 7.5A 160MHz 2.4W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：ZXTN19020DZTA
  仓库库存编号：ZXTN19020DZCT-ND
  别名：ZXTN19020DZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA
  
  型号：CSD25304W1015T
  仓库库存编号：296-38024-1-ND
  别名：296-38024-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 5A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 180MHz 3W Surface Mount SOT-223
  
  型号：ZXTP19060CGTA
  仓库库存编号：ZXTP19060CGCT-ND
  别名：ZXTP19060CGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 2.7W（Ta） TO-252
  
  型号：DMT8012LK3-13
  仓库库存编号：DMT8012LK3-13DICT-ND
  别名：DMT8012LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.9W（Ta）, 48W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL11N6F7
  仓库库存编号：497-16501-1-ND
  别名：497-16501-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809AVTRPBF
  仓库库存编号：IRF7809AVPBFCT-ND
  别名：*IRF7809AVTRPBF
  IRF7809AVPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615C G
  仓库库存编号：BSO615CINCT-ND
  别名：BSO615CINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS430DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS430DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS430DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.3W Surface Mount 6-PicoStar
  
  型号：CSD83325LT
  仓库库存编号：296-38590-1-ND
  别名：296-38590-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6482
  仓库库存编号：785-1229-1-ND
  别名：785-1229-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR460DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR460DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR460DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A 27W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ702DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ702DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ702DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 38W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL4LN80K5
  仓库库存编号：497-17146-1-ND
  别名：497-17146-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR436DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR436DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR436DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V KPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4LN80K5
  仓库库存编号：497-17290-1-ND
  别名：497-17290-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 62.5W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL56N3LLH5
  仓库库存编号：497-11849-1-ND
  别名：497-11849-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7656AS
  仓库库存编号：FDMS7656ASCT-ND
  别名：FDMS7656ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 7.5A 38W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD3HF60HDT4
  仓库库存编号：497-10960-1-ND
  别名：497-10960-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 25V 3A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 3A 725mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：ZXTP749FTA
  仓库库存编号：ZXTP749FTACT-ND
  别名：ZXTP749FTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4630DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4630DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4630DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60M2
  仓库库存编号：497-13937-1-ND
  别名：497-13937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD4N90K5
  仓库库存编号：497-17069-1-ND
  别名：497-17069-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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