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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT01GH
  仓库库存编号：MAT01GH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 200A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60B3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100Q3
  仓库库存编号：IXFK24N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
  详细描述：IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：STGE200NB60S
  仓库库存编号：497-6731-5-ND
  别名：497-6731-5
  STGE200NB60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 112A 356W SOT-227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT60GA60JD60
  仓库库存编号：APT60GA60JD60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100Q3
  仓库库存编号：IXFB44N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JVRU2
  仓库库存编号：APT5010JVRU2-ND
  别名：APT5010JVRU2MI
  APT5010JVRU2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB70N60Q2
  仓库库存编号：IXFB70N60Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 103A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT100M50J
  仓库库存编号：APT100M50J-ND
  别名：APT100M50JMI
  APT100M50JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT34M120J
  仓库库存编号：APT34M120J-ND
  别名：APT34M120JMI
  APT34M120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 30A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN30N100L
  仓库库存编号：IXTN30N100L-ND
  别名：Q3424174
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT10021JFLL
  仓库库存编号：APT10021JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 1.8A SOT-563
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1.8A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DSS5240V-7
  仓库库存编号：DSS5240VDICT-ND
  别名：DSS5240VDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 25V 3A SSOT3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 3A 100MHz 500mW Surface Mount SuperSOT-3
  
  型号：FSB749
  仓库库存编号：FSB749CT-ND
  别名：FSB749CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Ta），48A（Tc） 920mW（Ta），23.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4955NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4955NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4955NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.3W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5853DDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5853DDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5853DDC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Tc） 2.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA425EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA425EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 1.55W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMG4712SSS-13
  仓库库存编号：DMG4712SSS-13DICT-ND
  别名：DMG4712SSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 3A 150MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT690BP5-13
  仓库库存编号：DXT690BP5-13CT-ND
  别名：DXT690BP5-13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.1A（Tc） 1.05W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN2005UFG-13
  仓库库存编号：DMN2005UFG-13DICT-ND
  别名：DMN2005UFG-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL7N6F7
  仓库库存编号：497-16934-1-ND
  别名：497-16934-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A SMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS612EDNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS612EDNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS612EDNT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4492
  仓库库存编号：785-1290-1-ND
  别名：785-1290-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFG-7
  仓库库存编号：DMN3008SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3008SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4420BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4420BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4420BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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