产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(24622)
二极管 - 桥式整流器
(2994)
二极管 - 射频
(34)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(173)
二极管 - 齐纳 - 阵列
(32)
二极管 - 齐纳 - 单
(707)
晶闸管 - SCR - 模块
(6)
晶闸管 - TRIAC
(1)
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
(323)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(93)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(2992)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2014)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(13335)
晶体管 - IGBT - 阵列
(15)
晶体管 - IGBT - 模块
(120)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(1543)
晶体管 - JFET
(240)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(977)
Analog Devices Inc.(8)
Bourns Inc.(6)
Central Semiconductor Corp(40)
Comchip Technology(375)
Cree/Wolfspeed(23)
Diodes Incorporated(2470)
Fairchild/Micross Components(3)
Fairchild/ON Semiconductor(3813)
GeneSiC Semiconductor(248)
Global Power Technologies Group(163)
Infineon Technologies(2769)
IXYS(2092)
Micro Commercial Co(369)
Microchip Technology(181)
Microsemi Corporation(679)
Nexperia USA Inc.(325)
NXP USA Inc.(156)
ON Semiconductor(2161)
Powerex Inc.(2)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(55)
Sanken(2)
Semtech Corporation(76)
SMC Diode Solutions(248)
STMicroelectronics(1052)
Taiwan Semiconductor Corporation(2068)
Texas Instruments(206)
Toshiba Semiconductor and Storage(11)
Transphorm(11)
Trinamic Motion Control GmbH(4)
TT Electronics/Optek Technology(6)
Vicor Corporation(1)
Vishay Semiconductor Diodes Division(772)
Vishay Siliconix(3249)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT50GT60BRDQ2G
仓库库存编号：
APT50GT60BRDQ2G-ND
别名：APT50GT60BRDQ2GMI
APT50GT60BRDQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号：
APT40GR120B
仓库库存编号：
APT40GR120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO247AD
详细描述：IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH50N90B2D1
仓库库存编号：
IXGH50N90B2D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80
仓库库存编号：
IXFH9N80-ND
别名：Q3837074
Q4932885
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N80
仓库库存编号：
IXFH7N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N100Q
仓库库存编号：
IXFH6N100Q-ND
别名：478547
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
型号：
APT25GR120SD15
仓库库存编号：
APT25GR120SD15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak
型号：
APT40GR120S
仓库库存编号：
APT40GR120S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71UDPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71UDPBF-ND
别名：*IRG4PSC71UDPBF
SP001545818
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX78N50P3
仓库库存编号：
IXFX78N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT22F80B
仓库库存编号：
APT22F80B-ND
别名：APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT80GA60B
仓库库存编号：
APT80GA60B-ND
别名：APT80GA60BMI
APT80GA60BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N30T
仓库库存编号：
IXFX120N30T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 21A 105W TO247
详细描述：IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247?
型号：
IXYJ20N120C3D1
仓库库存编号：
IXYJ20N120C3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 64A 480W TO247
详细描述：IGBT 1200V 64A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH40N120C3D1
仓库库存编号：
IXYH40N120C3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH67N10
仓库库存编号：
IXTH67N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 3-PHA 800V 35A D-63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 35A QC Terminal D-63
型号：
VS-36MT80
仓库库存编号：
36MT80-ND
别名：*36MT80
36MT80
VS-36MT80-ND
VS36MT80
VS36MT80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 3-PHA 200V 35A D63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 200V 35A QC Terminal D-63
型号：
VS-36MT20
仓库库存编号：
VS-36MT20-ND
别名：*36MT20
36MT20
36MT20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 25A D-63
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 25A QC Terminal D-63
型号：
VS-26MT80
仓库库存编号：
VS-26MT80GI-ND
别名：*26MT80
26MT80
26MT80-ND
VS-26MT80-ND
VS-26MT80GI
VS26MT80
VS26MT80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO264
详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
型号：
APT85GR120L
仓库库存编号：
APT85GR120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71KDPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71KDPBF-ND
别名：*IRG4PSC71KDPBF
SP001544764
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 170A 962W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX?
型号：
APT85GR120B2
仓库库存编号：
APT85GR120B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMP26-02P
仓库库存编号：
FMP26-02P-ND
别名：FMP2602P
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号：
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号：
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名：APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB110N60P3
仓库库存编号：
IXFB110N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
350
351
352
353
354
355
356
357
358
359
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
