产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP16N50P
仓库库存编号：
IXTP16N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI740GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI740GLCPBF-ND
别名：*IRFI740GLCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 50V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC25005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC25005-E4/51GI-ND
别名：GBPC25005-E4/51GI
GBPC25005E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 50V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC15005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC15005-E4/51-ND
别名：GBPC15005E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 600V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC1506W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1506W-E4/51GI-ND
别名：GBPC1506W-E4/51-ND
GBPC1506W-E4/51GI
GBPC1506WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
AOT29S50L
仓库库存编号：
785-1440-5-ND
别名：785-1440-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N100
仓库库存编号：
IXTP1N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 400V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3504W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3504W-E4/51GI-ND
别名：GBPC3504W-E4/51GI
GBPC3504W/1
GBPC3504W/1GI
GBPC3504W/1GI-ND
GBPC3504WE451
GBPC3504WGI
GBPC3504WGI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 600V GBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3506W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3506W-E4/51GI-ND
别名：GBPC3506W-E4/1
GBPC3506W-E4/1-ND
GBPC3506W-E4/1GI
GBPC3506W-E4/1GI-ND
GBPC3506W-E4/51GI
GBPC3506WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 35A 200V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3502W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3502W-E4/51GI-ND
别名：GBPC3502W-E4/51-ND
GBPC3502W-E4/51GI
GBPC3502WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF28N60M2
仓库库存编号：
497-14216-5-ND
别名：497-14216-5
STF28N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 180W TO263
详细描述：IGBT PT 1200V 40A 180W Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号：
IXGA20N120A3
仓库库存编号：
IXGA20N120A3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA90R340C3
仓库库存编号：
IPA90R340C3-ND
别名：IPA90R340C3XKSA1
SP000415916
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP22N60N
仓库库存编号：
FCP22N60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24.3A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW24N60C3
仓库库存编号：
SPW24N60C3IN-ND
别名：SP000014695
SPW24N60C3-ND
SPW24N60C3FKSA1
SPW24N60C3IN
SPW24N60C3X
SPW24N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ10P50P
仓库库存编号：
IXTQ10P50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH50SPBF
仓库库存编号：
IRG4PH50SPBF-ND
别名：*IRG4PH50SPBF
SP001533562
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 200V 35A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal D-34
型号：
VS-36MB20A
仓库库存编号：
36MB20A-ND
别名：*36MB20A
36MB20A
VS-36MB20A-ND
VS36MB20A
VS36MB20A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 200V 25A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A QC Terminal D-34
型号：
VS-26MB20A
仓库库存编号：
26MB20A-ND
别名：*26MB20A
26MB20A
VS-26MB20A-ND
VS26MB20A
VS26MB20A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 120A 298W TO247
详细描述：IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-247
型号：
FGH60N60UFDTU
仓库库存编号：
FGH60N60UFDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP6N100D2
仓库库存编号：
IXTP6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
型号：
HGTG18N120BND
仓库库存编号：
HGTG18N120BND-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 35A D-34A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal D-34
型号：
VS-36MB60A
仓库库存编号：
36MB60A-ND
别名：*36MB60A
36MB60A
VS-36MB60A-ND
VS36MB60A
VS36MB60A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT7F120B
仓库库存编号：
APT7F120B-ND
别名：APT7F120BMI
APT7F120BMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N60P3
仓库库存编号：
IXFH50N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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