产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU1004
仓库库存编号：
GBU1004DI-ND
别名：GBU1004-ND
GBU1004DI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 6A 25W TO220FP
详细描述：IGBT 1200V 6A 25W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF3NC120HD
仓库库存编号：
497-4353-5-ND
别名：497-4353-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 400V 20A GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 20A Through Hole GBJ
型号：
GBJ2004-F
仓库库存编号：
GBJ2004-FDI-ND
别名：GBJ2004-FDI
GBJ2004F
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 1000V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU1010
仓库库存编号：
GBU1010DI-ND
别名：GBU1010-ND
GBU1010DI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB25S65L
仓库库存编号：
785-1539-1-ND
别名：785-1539-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC RECT BRIDGE GPP 35A 400V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBJ
型号：
GBJ3504-BP
仓库库存编号：
GBJ3504-BPMS-ND
别名：GBJ3504-BPMS
GBJ3504BP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 6A 400V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC604-E4/51
仓库库存编号：
GBPC604-E4/51GI-ND
别名：GBPC604-E4/51-ND
GBPC604-E4/51GI
GBPC604E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 6A 50V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC6005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC6005-E4/51GI-ND
别名：GBPC6005-E4/51-ND
GBPC6005-E4/51GI
GBPC6005E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 200V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC602-E4/51
仓库库存编号：
GBPC602-E4/51GI-ND
别名：GBPC602
GBPC602-E4/51GI
GBPC602-ND
GBPC602/1
GBPC602/1-ND
GBPC602/1GI
GBPC602/1GI-ND
GBPC602E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 6A 800V GBPC6
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBPC6
型号：
GBPC608-E4/51
仓库库存编号：
GBPC608-E4/51GI-ND
别名：GBPC608-E4/51-ND
GBPC608-E4/51GI
GBPC608E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF30PBF
仓库库存编号：
IRFBF30PBF-ND
别名：*IRFBF30PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 35A 125W TO220
详细描述：IGBT 600V 35A 125W Through Hole TO-220
型号：
STGP19NC60KD
仓库库存编号：
497-8439-5-ND
别名：497-8439-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 16A 32W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF19NC60HD
仓库库存编号：
497-5740-ND
别名：497-5740
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号：
IXTY1R6N100D2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA9N90C_F109
仓库库存编号：
FQA9N90C_F109-ND
别名：FQA9N90CF109
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 17A 45W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 17A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRG4IBC30WPBF
仓库库存编号：
IRG4IBC30WPBF-ND
别名：*IRG4IBC30WPBF
SP001533652
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI640GPBF
仓库库存编号：
IRLI640GPBF-ND
别名：*IRLI640GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC30GPBF
仓库库存编号：
IRFIBC30GPBF-ND
别名：*IRFIBC30GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W TO247
详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
型号：
FGH40N60SFDTU
仓库库存编号：
FGH40N60SFDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 24A 40W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 24A 40W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF20NB60S
仓库库存编号：
497-12596-5-ND
别名：497-12596-5
STGF20NB60S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 245W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA33N25
仓库库存编号：
FDA33N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP8NK80ZFP
仓库库存编号：
497-5982-5-ND
别名：497-5982-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK20N60L
仓库库存编号：
785-1532-5-ND
别名：AOK20N60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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