产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 4A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 4A 32MHz 60W Through Hole TO-220-3
型号：
D45C8
仓库库存编号：
D45C8-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 4A Through Hole GBJ
型号：
GBL06-G
仓库库存编号：
641-1752-5-ND
别名：641-1752-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU4G
仓库库存编号：
GBU4GFS-ND
别名：GBU4G-ND
GBU4GFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF840ASTRLPBFCT-ND
别名：IRF840ASTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R280C6
仓库库存编号：
IPB60R280C6CT-ND
别名：IPB60R280C6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 6A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU6K
仓库库存编号：
GBU6KFS-ND
别名：GBU6KFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3A Through Hole GBL
型号：
GBL02-E3/51
仓库库存编号：
GBL02-E3/51GI-ND
别名：GBL02-E3/51-ND
GBL02E351
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF10N60ZG
仓库库存编号：
NDF10N60ZGOS-ND
别名：NDF10N60ZG-ND
NDF10N60ZGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 8A 100V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU8B
仓库库存编号：
GBU8B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 56W TO220
详细描述：IGBT 600V 15A 56W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP6NC60HD
仓库库存编号：
497-5122-5-ND
别名：497-5122-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 400V 6A GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 6A Through Hole GBU
型号：
GBU604
仓库库存编号：
GBU604DI-ND
别名：GBU604DI
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4890DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4890DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4890DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 4A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4A Through Hole GBU
型号：
GBU408
仓库库存编号：
GBU408-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
型号：
NGTG15N60S1EG
仓库库存编号：
NGTG15N60S1EGOS-ND
别名：NGTG15N60S1EG-ND
NGTG15N60S1EGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 8A Through Hole GBU
型号：
GBU808
仓库库存编号：
GBU808-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 100V GPP GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 3A Through Hole GBU
型号：
GBU4B-E3/51
仓库库存编号：
GBU4B-E3/51-ND
别名：GBU4BE351
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 4A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3A Through Hole GBU
型号：
GBU4K-E3/45
仓库库存编号：
GBU4K-E3/45GI-ND
别名：GBU4K
GBU4K-E3/45-ND
GBU4K-ND
GBU4K/45
GBU4K/45-ND
GBU4KE345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220
型号：
NGTB15N60EG
仓库库存编号：
NGTB15N60EGOS-ND
别名：NGTB15N60EG-ND
NGTB15N60EGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 25A 80W TO220
详细描述：IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP14NC60KD
仓库库存编号：
497-5121-5-ND
别名：497-5121-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8J-E3/45
仓库库存编号：
GBU8J-E3/45GI-ND
别名：GBU8J
GBU8J-E3/45-ND
GBU8J-E3/45GI
GBU8J-ND
GBU8J/45
GBU8J/45-ND
GBU8JE345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8G-E3/45
仓库库存编号：
GBU8G-E3/45GI-ND
别名：GBU8G
GBU8G-E3/45-ND
GBU8G-E3/45GI
GBU8G-ND
GBU8G/45
GBU8G/45-ND
GBU8GE345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 200V GPP INLINE GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8D-E3/45
仓库库存编号：
GBU8D-E3/45GI-ND
别名：GBU8D-E3/45-ND
GBU8DE345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 8A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.9A Through Hole GBU
型号：
GBU8K-E3/45
仓库库存编号：
GBU8K-E3/45GI-ND
别名：GBU8K
GBU8K-E3/45-ND
GBU8K-E3/45GI
GBU8K-ND
GBU8K/45
GBU8K/45-ND
GBU8KE345
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
型号：
STU10N60M2
仓库库存编号：
497-13977-5-ND
别名：497-13977-5
STU10N60M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 15A 400V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 3.5A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB1540-E3/45
仓库库存编号：
GSIB1540-E3/45GI-ND
别名：GSIB1540-E3/45-ND
GSIB1540-E3/45GI
GSIB1540E345
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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