以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM1002N TR
  仓库库存编号：CXDM1002N CT-ND
  别名：CXDM1002N CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP613PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP613PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP613PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7455TRPBF
  仓库库存编号：IRF7455PBFCT-ND
  别名：*IRF7455TRPBF
  IRF7455PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC117N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC117N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7405BDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7405BDN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），59A（Tc） 3.8W（Ta），55W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6635
  仓库库存编号：FDD6635CT-ND
  别名：FDD6635CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 56W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 56W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD6NC60HDT4
  仓库库存编号：497-5112-1-ND
  别名：497-5112-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF06M-E3/45
  仓库库存编号：DF06M-E3/45GI-ND
  别名：DF06M-E3/45-ND
  DF06M-E3/45GI
  DF06ME345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），26A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86105
  仓库库存编号：FDMS86105CT-ND
  别名：FDMS86105CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7998DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7998DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7998DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7623DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7623DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7623DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD682T
  仓库库存编号：BD682T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N60CTU
  仓库库存编号：FQU2N60CTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7085TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7085TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7085TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4413ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4413ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4413ADY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4488DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4488DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4488DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 40V 200mA 200MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ6700
  仓库库存编号：MMPQ6700CT-ND
  别名：MMPQ6700CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N60Z-1G-ND
  NDD04N60Z-1GOS
  NDD04N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 70W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 25A 70W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD7NC60HT4
  仓库库存编号：497-4111-1-ND
  别名：497-4111-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3W（Ta），6.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4465ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4465ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4465ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
  
  型号：SIZ910DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ910DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ910DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT8N50
  仓库库存编号：785-1171-5-ND
  别名：785-1171-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 8A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8D-BP
  仓库库存编号：GBU8D-BPMS-ND
  别名：GBU8D-BPMS
  GBU8DBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索