产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 66A
详细描述:通孔 N 沟道 66A(Tc) 446W(Tc) TO-247
型号:
STW72N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16130-5-ND
别名:497-16130-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J
仓库库存编号:
C3M0065090J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH40N30
仓库库存编号:
IXFH40N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50Q
仓库库存编号:
IXFH26N50Q-ND
别名:476048
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50
仓库库存编号:
IXFH26N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16P60P
仓库库存编号:
IXTT16P60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT20P50P
仓库库存编号:
IXTT20P50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH58N20
仓库库存编号:
IXFH58N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW12N150K5
仓库库存编号:
497-16027-5-ND
别名:497-16027-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 695W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16N20D2
仓库库存编号:
IXTT16N20D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 66A
详细描述:通孔 N 沟道 66A(Tc) 446W(Tc) TO-247
型号:
STW70N60DM2
仓库库存编号:
497-16345-5-ND
别名:497-16345-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6661
仓库库存编号:
2N6661MC-ND
别名:2N6661MC
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
详细描述:通孔 N 沟道 410mA(Ta) 6.25W(Tc) TO-39
型号:
2N6660
仓库库存编号:
2N6660MC-ND
别名:2N6660MC
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GS60BRDQ2G-ND
别名:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N50LPBF
仓库库存编号:
IRFPS40N50LPBF-ND
别名:*IRFPS40N50LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Cree/Wolfspeed
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:N 沟道 35A(Tc) 113.5W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0065100K
仓库库存编号:
C3M0065100K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Transphorm
GAN FET 650V 20A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 96W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3208LD
仓库库存编号:
TPH3208LD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tj) 360mW(Tc) TO-39
型号:
VN2210N2
仓库库存编号:
VN2210N2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Tc) 119W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0075120K
仓库库存编号:
C3M0075120K-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH75N10
仓库库存编号:
IXFH75N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 46A
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 446W(Tc) TO-247
型号:
STW65N80K5
仓库库存编号:
497-16333-5-ND
别名:497-16333-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STW40N95K5
仓库库存编号:
497-15447-5-ND
别名:497-15447-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 1390W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N25T
仓库库存编号:
IXFX180N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 1390W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N25T
仓库库存编号:
IXFK180N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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