产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630SPBF
仓库库存编号：
IRL630SPBF-ND
别名：*IRL630SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 25A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2501
仓库库存编号：
GBPC2501-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP51N25
仓库库存编号：
FDP51N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N95K5
仓库库存编号：
497-12854-5-ND
别名：497-12854-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
FQA11N90C_F109
仓库库存编号：
FQA11N90C_F109-ND
别名：FQA11N90CF109
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3506W
仓库库存编号：
GBPC3506W-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF15N65
仓库库存编号：
FDPF15N65-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R099C6
仓库库存编号：
IPB60R099C6CT-ND
别名：IPB60R099C6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3506
仓库库存编号：
GBPC3506FS-ND
别名：GBPC3506-ND
GBPC3506FS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP25N40D-GE3
仓库库存编号：
SIHP25N40D-GE3-ND
别名：SIHP25N40DGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360PBF
仓库库存编号：
IRFP360PBF-ND
别名：*IRFP360PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 200V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2502W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2502W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2502W-E4/51GI
GBPC2502W/1
GBPC2502W/1GI
GBPC2502W/1GI-ND
GBPC2502WE451
GBPC2502WGI
GBPC2502WGI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60DM2
仓库库存编号：
497-14571-5-ND
别名：497-14571-5
STP24N60DM2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB22N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60E-GE3-ND
别名：SIHB22N60EGE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3510W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3510W-E4/51GI-ND
别名：GBPC3510W
GBPC3510W-E4/51GI
GBPC3510W/1
GBPC3510W/1GI
GBPC3510W/1GI-ND
GBPC3510WE451
GBPC3510WGI
GBPC3510WGI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 400V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3504-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3504-E4/51GI-ND
别名：GBPC3504-E4/1
GBPC3504-E4/1-ND
GBPC3504-E4/1GI
GBPC3504-E4/1GI-ND
GBPC3504-E4/51GI
GBPC3504E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3506-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3506-E4/51GI-ND
别名：GBPC3506-E4/1
GBPC3506-E4/1-ND
GBPC3506-E4/1GI
GBPC3506-E4/1GI-ND
GBPC3506-E4/51GI
GBPC3506E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 388W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA20N50F
仓库库存编号：
FDA20N50F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 70A 290W TO247
详细描述：IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
型号：
HGTG20N60A4D
仓库库存编号：
HGTG20N60A4DFS-ND
别名：HGTG20N60A4D-ND
HGTG20N60A4D_NL
HGTG20N60A4D_NL-ND
HGTG20N60A4DFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N60P3
仓库库存编号：
IXFH22N60P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 400V 35A GBPC-A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal GBPC-A
型号：
VS-GBPC3504A
仓库库存编号：
GBPC3504A-ND
别名：*GBPC3504A
GBPC3504A
VS-GBPC3504A-ND
VSGBPC3504A
VSGBPC3504A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 64A 250W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT30GT60BRDQ2G
仓库库存编号：
APT30GT60BRDQ2G-ND
别名：APT30GT60BRDQ2GMI
APT30GT60BRDQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 250W TO264
详细描述：IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264
型号：
SGL50N60RUFDTU
仓库库存编号：
SGL50N60RUFDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
THYRISTOR PHASE ISO247
详细描述：TRIAC Standard 1200V (1.2kV) 88A Through Hole ISO247
型号：
CLA80MT1200NHR
仓库库存编号：
CLA80MT1200NHR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 90A 625W TO247
详细描述：IGBT 1200V 90A 625W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号：
IXYH50N120C3D1
仓库库存编号：
IXYH50N120C3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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