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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC026N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC026N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC026N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC035N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N60M2
  仓库库存编号：497-13948-5-ND
  别名：497-13948-5
  STF6N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9214PBF
  仓库库存编号：IRFR9214PBF-ND
  别名：*IRFR9214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS7650DC
  仓库库存编号：FDMS7650DCCT-ND
  别名：FDMS7650DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840APBF
  仓库库存编号：IRF840APBF-ND
  别名：*IRF840APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NK90Z
  仓库库存编号：497-12789-5-ND
  别名：497-12789-5
  STP3NK90Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12P20
  仓库库存编号：FQP12P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 15A 600V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1560-E3/45
  仓库库存编号：GSIB1560-E3/45GI-ND
  别名：GSIB1560-E3/45-ND
  GSIB1560-E3/45GI
  GSIB1560E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 15A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB1580-E3/45
  仓库库存编号：GSIB1580-E3/45GI-ND
  别名：GSIB1580-E3/45-ND
  GSIB1580-E3/45GI
  GSIB1580E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 25A 800V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2508-BP
  仓库库存编号：GBJ2508-BPMS-ND
  别名：GBJ2508-BPMS
  GBJ2508BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N80C3
  仓库库存编号：SPA06N80C3IN-ND
  别名：SP000216302
  SPA06N80C3IN
  SPA06N80C3X
  SPA06N80C3XK
  SPA06N80C3XKSA1
  SPA06N80C3XTIN
  SPA06N80C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 245W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：IRFS7434TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7434TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS7434TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
  详细描述：IGBT 1200V 14A 75W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB3NC120HDT4
  仓库库存编号：497-11215-1-ND
  别名：497-11215-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 6A 1000V GBPC6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBPC6
  
  型号：GBPC610-E4/51
  仓库库存编号：GBPC610-E4/51GI-ND
  别名：GBPC610
  GBPC610-E4/51GI
  GBPC610-ND
  GBPC610/1
  GBPC610/1-ND
  GBPC610/1GI
  GBPC610/1GI-ND
  GBPC610E451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 6A 600V GBPC6
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole GBPC6
  
  型号：GBPC606-E4/51
  仓库库存编号：GBPC606-E4/51GI-ND
  别名：GBPC606-E4/51GI
  GBPC606E451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXTY01N100
  仓库库存编号：IXTY01N100-ND
  别名：490458
  IXTY01N100CT
  IXTY01N100CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N50
  仓库库存编号：FDPF18N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 25A 800V GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.5A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：GSIB2580-E3/45
  仓库库存编号：GSIB2580-E3/45GI-ND
  别名：GSIB2580-E3/45-ND
  GSIB2580-E3/45GI
  GSIB2580E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8N80K5
  仓库库存编号：497-13645-5-ND
  别名：497-13645-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS9N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
  别名：IRFS9N60ATRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：MTB50P03HDLT4G
  仓库库存编号：MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
  别名：MTB50P03HDLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 16A 55W TO220F
  详细描述：IGBT 600V 16A 55W Through Hole TO-220F
  
  型号：SGS10N60RUFDTU
  仓库库存编号：SGS10N60RUFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60M2
  仓库库存编号：497-14972-1-ND
  别名：497-14972-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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